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公开(公告)号：CN107924818B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201680048977.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/20 , H01L21/265
Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108780740A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L21/76879 , H01L21/76883
Abstract: 本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
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公开(公告)号：CN107924818A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048977.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L29/06 , G03F7/20 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/3086
Abstract: 一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。
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公开(公告)号：CN108780740B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201780016912.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F1/74 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种对衬底进行加工的方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。本发明能够在所期望方向上以所期望的量在衬底内使表面特征偏移，且能够产生原本无法获得的特征尺寸及形状。
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公开(公告)号：CN114975106A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210535376.7
申请日：2016-06-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , G03F7/20
Abstract: 一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
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公开(公告)号：CN110945431A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048752.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/74 , H01L21/027
Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
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