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公开(公告)号：CN101689462B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200880021628.2
申请日：2008-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J23/10 , H01J37/317
CPC classification number: H01B17/64
Abstract: 一种防止离子注入机中因三重接面击穿的不稳定的高压绝缘体。在一实施例中，提供一种防止离子注入机的三重接面不稳定的装置，其具有第一金属电极与第二金属电极。绝缘体设置于第一金属电极与第二金属电极之间。绝缘体在第一金属电极与第二金属电极之间具有至少一表面，所述表面暴露于用于传输离子注入机所产生的离子束的真空之中。第一导电层设置于第一金属电极与绝缘体之间。第一导电层防止发生于第一金属电极、绝缘体与真空之一界面的三重接面击穿。第二导电层相对于第一导电层设置于第二金属电极与绝缘体之间。第二导电层防止发生于第二金属电极、绝缘体与真空之一界面的三重接面击穿。
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公开(公告)号：CN101076875A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN101076875B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580033847.9
申请日：2005-10-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 张升吾 , 安东尼勒·可雀帝 , 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 , 葛列格里·R·吉本雷洛 , 罗扎里欧·马雷卡 , 葛桔·A·洛里斯 , 约瑟·C·欧尔森 , 马黎耶·J·威尔旭
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/24542 , H01J2237/30461 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
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公开(公告)号：CN101689462A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021628.2
申请日：2008-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J23/10 , H01J37/317
CPC classification number: H01B17/64
Abstract: 一种防止离子注入机中因三重接面击穿的不稳定的高压绝缘体。在一实施例中，提供一种防止离子注入机的三重接面不稳定的装置，其具有第一金属电极与第二金属电极。绝缘体设置于第一金属电极与第二金属电极之间。绝缘体在第一金属电极与第二金属电极之间具有至少一表面，所述表面暴露于用于传输离子注入机所产生的离子束的真空之中。第一导电层设置于第一金属电极与绝缘体之间。第一导电层防止发生于第一电极、绝缘体与真空之一界面的三重接面击穿。第二导电层相对于第一导电层设置于第二金属电极与绝缘体之间。第二导电层防止发生于第二电极、绝缘体与真空之一界面的三重接面击穿。
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