公开(公告)号：CN106463613A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024163.6

申请日：2015-05-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  丹尼尔·迪斯塔苏 ,  尼尼·文奴斯 ,  崔斯坦·马 ,  刘宇

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

Abstract: 在一个实施例中，一种刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。

公开(公告)号：CN110945431A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048752.1

申请日：2018-08-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 崔斯坦·马 ,  戴辉雄 ,  安东尼·雷诺 ,  约翰·哈塔拉 ,  约瑟·欧尔森

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/74 ,  H01L21/027

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。

公开(公告)号：CN106463613B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580024163.6

申请日：2015-05-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  丹尼尔·迪斯塔苏 ,  尼尼·文奴斯 ,  崔斯坦·马 ,  刘宇

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。

公开(公告)号：CN108475679A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074925.8

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  阿宾德·库马尔 ,  崔斯坦·马 ,  沈圭河 ,  约翰·哈塔拉 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42368

Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。

公开(公告)号：CN104067419B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380006196.9

申请日：2013-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 柏克·L·达比 ,  卢多维克·葛特 ,  陆贤锋 ,  崔斯坦·马

IPC: H01M4/04

CPC classification number: H01M4/04 ,  H01M4/0428 ,  Y02E60/12

Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。

公开(公告)号：CN104067419A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006196.9

申请日：2013-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 柏克·L·达比 ,  卢多维克·葛特 ,  陆贤锋 ,  崔斯坦·马

IPC: H01M4/04

CPC classification number: H01M4/04 ,  H01M4/0428 ,  Y02E60/12

Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。