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公开(公告)号：CN101203932A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680019106.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/31761 , Y10S438/961
Abstract: 本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN101203932B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680019106.X
申请日：2006-03-31
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30455 , H01J2237/31761 , Y10S438/961
Abstract: 本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。
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公开(公告)号：CN101427350A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780006744.2
申请日：2007-01-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , C23C14/48
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , H01J27/02 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供离子布植方法以及该方法使用的离子源。该方法包含：自包含多种元素的源进料气体产生离子。举例而言，源进料气体可包含硼以及至少两种其它元素(例如，XaBbYc)。使用此等源进料气体较某些公知过程而言可产生若干优点，包含能够在形成具有超浅接合深度的布植区域时使用较高布植能量以及离子束电流。又，在某些实施例中，源进料气体的成分可经选择以在相对高温(例如，大于350℃)下为热稳定的，此允许在使用期间产生此等温度的许多公知离子源中(例如，间接加热阴极(IHC)，Bernas)使用此等气体。
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