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公开(公告)号：CN112874456B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110036153.1
申请日：2021-01-12
Applicant: 燕山大学
IPC: B60R16/037
Abstract: 本发明提供一种智能汽车调节方法，其包括以下步骤：S1、采集人体特征信息，并进行信息比对，实现解锁和启动功能：对采集的指纹进行比对，如果识别通过，则实现解锁；S2、对指纹按压时的实时压力进行采集，当实时压力超过预先设置的压力阈值时，汽车在指纹解锁的基础上一键启动；S3、在指纹识别通过及汽车一键启动的基础上对车内设施进行初步调节；S4、采用机器学习方法，通过不断学习和比对，实现车辆的智能调节；S5、根据机器学习组件的结果，实现车内设施的进一步调节。其能够通过实时学习，基于驾驶员的习惯，建立特征模型，不断学习更正，达到最好的驾驶效果并根据天气对驾驶参数进行智能调节，保障驾驶员的驾驶安全。
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公开(公告)号：CN108766967B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201810498879.5
申请日：2018-05-23
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种平面复合应变Si/SiGe CMOS器件及制备方法，选取晶向为100的N掺杂的单晶Si衬底；在衬底上外延一层Ge组分渐变的SiGe层；在SiGe层表面外延一层Si0.85Ge0.15层；光刻Si0.85Ge0.15虚拟衬底右侧区域，赝晶生长一层应变Si0.69Ge0.30C0.01层；光刻应变Si0.69Ge0.30C0.01层，在两端嵌入Si0.5Ge0.5层，采用CMP技术将器件表面平面化；赝晶生长一层应变Si层；在器件中部形成STI结构；光刻并进行离子注入形成P阱和N阱；淀积栅氧化层和NMOS多晶硅层并光刻形成NMOS栅结构；在NMOS的两端形成嵌入SiC层，进行离子注入形成源/漏区；淀积PMOS多晶硅栅，光刻多晶硅栅，利用自对准工艺形成PMOS的源/漏区。本发明在NMOS和PMOS沟道区同时采用单轴和双轴复合应变，大幅度提高载流子的移率和器件工作速度，整个器件均采用平面工艺，和已有的硅工艺兼容，可实现大规模集成。
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公开(公告)号：CN112874456A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110036153.1
申请日：2021-01-12
Applicant: 燕山大学
IPC: B60R16/037
Abstract: 本发明提供一种智能汽车调节方法，其包括以下步骤：S1、采集人体特征信息，并进行信息比对，实现解锁和启动功能：对采集的指纹进行比对，如果识别通过，则实现解锁；S2、对指纹按压时的实时压力进行采集，当实时压力超过预先设置的压力阈值时，汽车在指纹解锁的基础上一键启动；S3、在指纹识别通过及汽车一键启动的基础上对车内设施进行初步调节；S4、采用机器学习方法，通过不断学习和比对，实现车辆的智能调节；S5、根据机器学习组件的结果，实现车内设施的进一步调节。其能够通过实时学习，基于驾驶员的习惯，建立特征模型，不断学习更正，达到最好的驾驶效果并根据天气对驾驶参数进行智能调节，保障驾驶员的驾驶安全。
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公开(公告)号：CN108766967A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810498879.5
申请日：2018-05-23
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/823807
Abstract: 一种平面复合应变Si/SiGe CMOS器件及制备方法，选取晶向为100的N掺杂的单晶Si衬底；在衬底上外延一层Ge组分渐变的SiGe层；在SiGe层表面外延一层Si0.85Ge0.15层；光刻Si0.85Ge0.15虚拟衬底右侧区域，赝晶生长一层应变Si0.69Ge0.30C0.01层；光刻应变Si0.69Ge0.30C0.01层，在两端嵌入Si0.5Ge0.5层，采用CMP技术将器件表面平面化；赝晶生长一层应变Si层；在器件中部形成STI结构；光刻并进行离子注入形成P阱和N阱；淀积栅氧化层和NMOS多晶硅层并光刻形成NMOS栅结构；在NMOS的两端形成嵌入SiC层，进行离子注入形成源/漏区；淀积PMOS多晶硅栅，光刻多晶硅栅，利用自对准工艺形成PMOS的源/漏区。本发明在NMOS和PMOS沟道区同时采用单轴和双轴复合应变，大幅度提高载流子的移率和器件工作速度，整个器件均采用平面工艺，和已有的硅工艺兼容，可实现大规模集成。
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