-
公开(公告)号：CN112499603B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910872397.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 燕山大学
IPC: C01B21/082 , B82Y30/00 , B01J3/06 , B01J27/24 , C01B3/04
Abstract: 本发明提供了一种类石墨相氮化碳光催化材料及其制备方法和用途，所述方法包括如下步骤：将常规氮化碳(g‑C3N4)在高温高压下保持一定时间，得到类石墨相氮化碳光催化材料。制备得到的新型类石墨相氮化碳光催化材料的光吸收边延长至650纳米，具有较高的光催化产氢活性。首次运用六面顶压机对常规氮化碳材料进行高温高压处理，此压力处于工业上可达到的范围之内，整个生产工艺过程简单，易于控制，可适合大规模生产。而且将高压领域与光催化领域连接起来，为两个学科的相互促进和协调发展奠定了基础，起到一定的示范作用。
-
公开(公告)号：CN114349517A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111555136.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种cBN‑B4C复合材料及其制备方法。该cBN‑B4C复合材料为由立方BN和B4C构成的两相复合材料，维氏硬度为28GPa以上，断裂韧性为3.0MPa·m1/2以上，且其密度为2.0g/cm3以上。该cBN‑B4C复合材料具有优异的断裂韧性，同时还应具有高硬度和高密度。
-
公开(公告)号：CN113526475A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010305181.4
申请日：2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料，利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体，其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成，并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体，其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变，具有可调的新奇物理性能。
-
公开(公告)号：CN113277849A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
-
公开(公告)号：CN103569976B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210285274.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C01B21/0648 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/52 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/723 , C04B2235/781 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法，以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地，粒径为5‑70nm)为原料，通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1‑2000mm3；维氏硬度为60‑120GPa；晶粒尺寸为5‑100nm。本发明与现有技术相比，所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右)，其最高的维氏硬度达到120GPa，与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116143518A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111397981.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113277849B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202011329225.3
申请日：2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤：(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯，得到预压坯体；(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离，得到前驱体；(3)将所述前驱体进行真空净化；(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性，以及优异的高红硬性。
-
公开(公告)号：CN114763306A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110056514.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种层状氮化硼晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷及其制备方法。该陶瓷体包括两种典型组织结构：一种是当层状BN晶界相分布于闪锌矿氮化硼晶粒周围时，材料的硬度达到20～40GPa，断裂韧性达到6～9MPa·m1/2；另一种是当层状BN晶界相只存在于闪锌矿氮化硼晶界交汇处(三角区)时，材料的硬度达大于40GPa，断裂韧性大于9MPa·m1/2。本发明还公开一种制备上述层状氮化硼(BN)晶界相增韧的闪锌矿氮化硼陶瓷体的工艺。该工艺包括无压或高温高压烧结一种或多种相结构的BN粉体原料，原位形成了以闪锌矿氮化硼为主相，层状BN为晶界相的陶瓷体。
-
公开(公告)号：CN109821480B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910085279.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 燕山大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体；(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中，再装入高温高压组装块中；(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理；(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。上述超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，以C60富勒烯粉末为原料，利用高温高压试验，通过调控温度与压力之间的关系，探索了C60富勒烯在高压下的相变行为，合成了具有高硬或超高硬度、致密的、半导体性质的非晶碳块体材料，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109821480A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910085279.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 燕山大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及一种超硬半导体性非晶碳块体材料及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将C60富勒烯预制成柱状坯体；(2)将得到的柱状坯体装入六方氮化硼坩埚中，再装入高温高压组装块中；(3)将组装块置于高温高压合成设备中进行高温高压处理；(4)处理完成后得到超硬半导体性非晶碳块体材料。上述超硬半导体性非晶碳块体材料制备方法，以C60富勒烯粉末为原料，利用高温高压试验，通过调控温度与压力之间的关系，探索了C60富勒烯在高压下的相变行为，合成了具有高硬或超高硬度、致密的、半导体性质的非晶碳块体材料，具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.018 seconds)
