公开(公告)号：CN111244169B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010215352.4

申请日：2020-03-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  常晓伟 ,  王冠宇 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。

公开(公告)号：CN111490096A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。

公开(公告)号：CN111244169A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010215352.4

申请日：2020-03-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种异质结双极晶体管及其制备方法。本发明的异质结双极晶体管由于发射区和基区具有相同的物理结构，有效的降低了发射区和基区之间的寄生效应，提高了器件的频率特性；发射区宽度90纳米，有效降低了基区的本征电阻；集电区两侧采用嵌入式SiGe结构，在双轴应变的同时引入了单轴应变，将有效的降低载流子在集电区的传输时间，该结构同时减小了有效集电区宽度，降低了集电结电容，进一步提高了器件的频率特性；适当的选择Si帽层的厚度，可以有效降低界面处载流子的堆积，提高器件的增益；同时该双极晶体管的制备方法完全可以和90纳米的CMOS工艺兼容，有效的降低了器件的开发和制作成本。

公开(公告)号：CN111490096B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202010219080.5

申请日：2020-03-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  王冠宇 ,  闫伟涛 ,  常晓伟 ,  耿欣 ,  蒋巍

IPC: H01L29/737 ,  G06F30/39

Abstract: 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。