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公开(公告)号:CN110357106B
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN201910790892.2
申请日:2019-08-26
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米孪晶碳化硼粉体的方法,涉及超细陶瓷粉体制备技术领域,包括以下步骤:(1)使用作为硼源的硼酸和碳源,称取硼源和碳源后放入去离子水中,搅拌均匀至完全溶解,获得无色透明的溶液;(2)将得到的溶液放在加热台上加热至溶液蒸干,将得到块状物研磨成粉体后收集备用;(3)将粉体放入石墨坩埚中,将石墨坩埚放在在管式炉或碳管炉中抽真空然后加热,加热温度设定为1000~2000℃,保温时间0~180min,冷却后得到纳米孪晶碳化硼粉体。本发明降低了纳米碳化硼粉体制备的难度,提高了产物纯度,提高了产率,原料价格低廉,制备工艺简单,制备粉体纯度高粒径小,反应条件温和,加热温度低。
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公开(公告)号:CN114349517A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202111555136.5
申请日:2021-12-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/5831 , C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请提供一种cBN‑B4C复合材料及其制备方法。该cBN‑B4C复合材料为由立方BN和B4C构成的两相复合材料,维氏硬度为28GPa以上,断裂韧性为3.0MPa·m1/2以上,且其密度为2.0g/cm3以上。该cBN‑B4C复合材料具有优异的断裂韧性,同时还应具有高硬度和高密度。
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公开(公告)号:CN113526475A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202010305181.4
申请日:2020-04-17
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064 , C30B29/40 , C30B1/12
Abstract: 本发明涉及一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼及其制备方法。本发明以常见sp2或sp3杂化的氮化硼为原料,利用高温高压的合成方法制备出一种新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异形体,其基本结构单元由sp2杂化的类石墨结构单元和sp3杂化的类金刚石结构单元构成,并将其命名为—Gradia氮化硼。本发明所公开的Gradia氮化硼是一类新型sp2‑sp3杂化的晶态氮化硼同素异构体,其晶体结构可根据其内部sp2和sp3结构单元的尺寸和界面匹配关系而改变,具有可调的新奇物理性能。
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公开(公告)号:CN113277849A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202011329225.3
申请日:2020-11-24
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本申请涉及高红硬性碳化钨纯相块体材料及其制备方法。本文所提供的高红硬性碳化钨纯相块体材料的制备方法包括以下步骤:(1)将纳米碳化钨粉末预压成坯,得到预压坯体;(2)用包装材料将所述预压坯体进行包装隔离,得到前驱体;(3)将所述前驱体进行真空净化;(4)在至少1000℃的温度和至少1.5GPa的压力下合成高红硬性碳化钨纯相块体材料。本申请的高红硬性碳化钨纯相块体材料具有超细晶粒和较高的致密性,以及优异的高红硬性。
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公开(公告)号:CN103569976B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201210285274.0
申请日:2012-08-03
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B21/064
CPC classification number: C01B21/0648 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B82Y30/00 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/02 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C04B35/5831 , C04B35/645 , C04B2235/52 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/723 , C04B2235/781 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶氮化硼块体材料及其制备方法。具体地,本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶立方氮化硼块体材料及其合成方法,以纳米球形氮化硼(圆葱头结构)颗粒(优选地,粒径为5‑70nm)为原料,通过高温高压合成了纳米孪晶氮化硼块体。所获的纳米孪晶氮化硼块的体积为1‑2000mm3;维氏硬度为60‑120GPa;晶粒尺寸为5‑100nm。本发明与现有技术相比,所获得的纳米孪晶氮化硼块具有远高于普通立方氮化硼单晶体的硬度(普通立方氮化硼单晶的硬度仅为49GPa左右),其最高的维氏硬度达到120GPa,与金刚石单晶的硬度相当。纳米孪晶氮化硼块在高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN104209062A
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:CN201310188507.X
申请日:2013-05-20
Applicant: 燕山大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明涉及一种超高硬度纳米孪晶金刚石块体材料及其制备方法。具体地,本发明公开了一种含高密度孪晶的纳米晶金刚石块体材料及其合成方法,以无金刚石核的纳米球形碳(洋葱结构碳,以下简称无核洋葱碳)颗粒(优选地,粒径为5-70nm)为原料,通过高温高压合成了纳米孪晶金刚石块体。所得到的纳米孪晶金刚石块的体积为1-2000mm3;维氏硬度为155-350GPa;努普硬度为140-240GPa;孪晶宽度为1-15nm。本发明与现有技术相比,所获得的纳米孪晶金刚石块体具有远高于金刚石单晶体和超硬多晶金刚石的硬度(金刚石单晶的维氏硬度仅为100GPa左右,超硬多晶金刚石的最高努普硬度为140GPa),其最高的维氏硬度达到350GPa、最高的努普硬度达到240GPa。纳米孪晶金刚石块体在地质钻探、高速切削和精密与超精密加工等机械加工领域、磨料磨具和拉丝模及特种光学器件等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN101549405A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910143189.9
申请日:2009-05-19
Applicant: 燕山大学
CPC classification number: B22F9/04 , B22F1/0018 , B22F3/14 , B22F3/16 , B22F2009/041 , B82Y30/00 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开一种高致密化高性能纳米晶块体热电材料的高压烧结制备方法,其特征是:(1)利用球磨法制备纳米晶合金粉,晶粒尺度控制在5nm-30nm;(2)采用高压烧结技术制备纳米晶块体热电材料,压力范围控制在0.8GPa-6GPa,烧结温度控制在0.25-0.8T熔点,烧结时间为10-120分钟;获得的纳米晶块体热电材料的相对密度达到90%-100%,平均晶粒尺寸为10-50nm。本发明工艺简单,其无量纲热电优值(ZT)高达2.0以上。同时该发明在保证材料具有高的热电性能的基础上,提高了纳米晶块体热电材料的致密度,从而具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号:CN114655936A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202011547273.X
申请日:2020-12-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔热电合金材料及其制备方法。具体地,本发明公开了一种多孔热电合金材料,其微观组织结构由准等轴晶粒和均匀分布的孔隙构成。本发明还公开了一种所述多孔热电合金材料的制备方法。具有本发明微观结构特征的多孔热电合金材料的机械性能并未因孔隙的存在而明显减弱,且具有优异的热电性能。如对于Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材,其维氏硬度、抗弯强度和抗压强度分别可达0.6GPa、64MPa和130MPa,另外,Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材的最大热电优值ZT和平均ZT值分别可达1.27和1.15。该发明在保证材料具有优异热电性能的同时,兼具有良好的机械性能,同时减少了原料消耗,进而降低生产成本,具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号:CN112374500A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011048048.1
申请日:2020-09-29
Applicant: 燕山大学
IPC: C01B32/949 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种等轴晶纳米碳化钨粉末的制备方法。本发明的方法包括以下步骤:(1)将钨源、可食用碳源溶解于水中形成溶液,将所述溶液干燥,得到胶状前驱体;并且(2)将所述胶状前驱体在绝对压强低于1.0×10‑2Pa的真空度下在1250~2000℃的温度下反应,得到等轴晶纳米碳化钨粉末。本发明的方法采用安全无毒且低成本的可食用碳源,获得了高纯度、纳米级尺寸的、等轴晶碳化钨粉末。与传统的方法相比,本发明的方法具有工艺简单、绿色环保、成本低廉和安全性高等优点,而且还可表现出优异的组织控制精度以及良好的工艺稳定性和可重复性。
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公开(公告)号:CN102650005A
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201110051407.3
申请日:2011-02-28
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开一种高性能致密化填充方钴矿热电材料的高压合成制备方法,其特征是:1)按照拟合成的填充方钴矿热电材料的化学配比,取相应剂量的反应原料混合并冷压成型;2)第一步高压合成,压力范围1-6GPa,反应温度700-900℃,时间10-120分钟,将原料融合并初步反应生成过渡产物,冷却卸压后将所得产物研磨均匀并冷压成型;3)第二步高压合成,压力范围1-5Gp,反应温度550-650℃,时间30-600分钟,冷却卸压后将合成出的填充方钴矿材料研磨、酸洗、干燥,并冷压成型;4)采用高压烧结或电火花放电烧结技术,得到最终的块体热电材料。所得产物密度高,具有良好的机械加工性能,热电性能优越,无量纲热电优值(ZT)普遍高于1,同时本发明工艺简单,耗时短,节约能源,具有优良的产业化生产及应用前景。
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