公开(公告)号：CN103878462A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210570398.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王柳敏 ,  盛况 ,  汪涛 ,  郭清 ,  谢刚

IPC: B23K1/19

CPC classification number: B23K1/19

Abstract: 本发明涉及一种功率器件中芯片底部焊接层的设计，公开了一种用小焊块取代焊锡片的方法。它减薄了芯片底部焊接层的厚度，提升了它的散热能力，并在一定程度上缓减了不同的结温变化对模块失效的位置和机理的影响。

公开(公告)号：CN105226088A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510563513.8

申请日：2015-09-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 谢刚 ,  王柳敏 ,  王珩宇 ,  盛况

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，公开了一种带有P型柱体的阳极N+\P+交叠短路的超快速高压SOI LIGBT器件，包括衬底、阳极P+区、阳极N+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、阴极P+区、阴极P型体区、P型沟道区、发射极N+区、阴极金属、多晶硅栅、LIGBT器件栅氧化层、多晶硅栅金属和第一P型柱体区、第二P型柱体区。本发明的超快速高压SOI LIGBT的有益效果是、关断速度的加快、负阻现象NDR（Negative Differential Resistance）的消除、正向导通压降的减小以及关断时器件耐压的提升。

公开(公告)号：CN103887253A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210570371.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王柳敏 ,  汪涛 ,  郭清 ,  谢刚

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种DBC板覆铜片的新型结构设计，公开了一种用矩形齿状铜片取代密合矩形铜片的方法。这种设计为铜片在吸收热量后发生的膨胀或形变提供足够的空间，利于散热，保证模块的可靠性。