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公开(公告)号：CN114613589B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN114613589A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN114512288A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210184945.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种永磁材料，属于永磁材料技术领域。本发明通过选择轻稀土Pr、Nd和Sm中的一种，与重稀土Dy或Gd配合，利用轻重两种稀土存在时引起的电子层的相互作用，能够与过渡族金属Co的电子层发生复杂的3d‑3d、3d‑4f、4f‑4f交换耦合作用，可以有效提高材料的永磁性能；而且通过控制两种稀土的比例可以使永磁材料获得均匀的固溶体组织，有效提高永磁材料的居里温度和矫顽力。
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公开(公告)号：CN108060391B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5:52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115229144B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210935793.0
申请日：2022-08-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。
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公开(公告)号：CN110634638A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910929705.4
申请日：2019-09-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种(Pr,Gd)Co永磁材料，由Co和稀土Pr、Gd为原料，经熔炼和热处理制备得化学式为(Pr1-xGdx)Co2的Laves相永磁材料，其中，化学式中的x值满足0.2≤x≤0.6；所得材料具有MgCu2型立方的晶体结构；居里温度为54-254K，在低于居里温度时，饱和磁化强度为8.2-63Am2/kg，矫顽力0.167-0.73T。其制备方法包含以下步骤：1）原料的熔炼，按照化学式称量Co和稀土Pr、Gd，经熔炼制备成(Pr1-xGdx)Co2合金；2）材料的热处理，通过热处理形成稀土原子与钴原子满足物质的量之比为1:2稳定相。本发明永磁材料具有：工作温度可调控，矫顽力大，工艺简单，原料廉价，总体制备成本低的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN108060391A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711348406.9
申请日：2017-12-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5：52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。
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公开(公告)号：CN107838421A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711405576.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: B22F3/03 , B22F3/02 , B22F2201/20
Abstract: 本发明属于防氧化模具技术领域，公开了一种真空防氧化凹模及其使用方法、成型压机，设置有真空波纹管和密封底座，实现压制过程中粉体材料在与大气隔离，实现防氧化的目的；与普通模具相比，O形橡胶圈起到真空密封作用，并在底座上开6个圆孔，密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本发明实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离，使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90％的使用量，节约了95％的成本、节省了90％的实验室空间。本发明可独立使用，操作简便，成本低廉，体积小巧。
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公开(公告)号：CN103145417A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310089382.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能低成本铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，它是以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Al2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3–xAlFeO3–yLiSbO3，其中0＜x≤0.5，0≤y≤0.1，进行配料，经传统制陶工艺烧制而成的陶瓷新产品。本发明提供的无铅压电材料具有低成本、低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的x、y值及工艺参数，烧结温度在950℃-1000℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷的综合性能良好。
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