公开(公告)号：CN108060391B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201711348406.9

申请日：2017-12-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 霍建军 ,  武小飞 ,  杜玉松 ,  成钢 ,  饶光辉 ,  潘旷 ,  马垒

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5:52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。

公开(公告)号：CN108060391A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711348406.9

申请日：2017-12-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 霍建军 ,  武小飞 ,  杜玉松 ,  成钢 ,  饶光辉 ,  潘旷 ,  马垒

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于合金薄膜技术领域，公开了一种加快FePd薄膜相转变的方法，所述加快FePd薄膜相转变的方法采用超高真空多靶磁控溅射仪制备薄膜样品；稀土Dy掺杂FePd层采用交替沉积的方法，由纯度在99.95％以上且原子百分比为47.5：52.5的FePd复合靶和纯度在99.99％的Dy片，通过控制Dy靶的溅射时间来控制FePd层中稀土的含量。本发明采用磁控溅射法制备了一系列Dyx(Fe47.5Pd52.5)100‑x颗粒膜，通过改变掺杂稀土Dy的含量，添加Dy的含量对FePd薄膜的结构和磁性能的影响。