公开(公告)号：CN107117831B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201710386655.0

申请日：2017-05-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  杨之书 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  林剑飞 ,  张梦莹 ,  米喜红

IPC: C03C17/34 ,  D06M11/48 ,  C01G41/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。

公开(公告)号：CN107117831A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710386655.0

申请日：2017-05-26

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 刘勇平 ,  杨之书 ,  吕慧丹 ,  耿鹏 ,  林剑飞 ,  张梦莹 ,  米喜红

IPC: C03C17/34 ,  D06M11/48 ,  C01G41/02 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种WO3纳米片阵列的制备方法。首先通过草酸、乙醇和六氯化钨溶剂热法在FTO、碳布、硅片表面生长带有氧缺陷的WO3‑x·H2O纳米片阵列薄膜，再在马弗炉中以一定的温度煅烧得到结晶性较好的WO3纳米片阵列。在基底上所制备的WO3呈现规则的、垂直取向的纳米片阵列，大幅提高了其比表面积，0.5mol/L Na2SO4电解质中，0.7个太阳光光强，1.2V的偏压下，WO3纳米片的光电流达到0.8mA/cm2。该方法操作简便、易于控制，制备的WO3纳米片阵列薄膜，具有大的比表面积、高的光电化学活性和稳定性。

公开(公告)号：CN106563442B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201610945842.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  张梦莹 ,  刘勇平 ,  闫艺 ,  杨之书 ,  耿鹏

IPC: B01J23/30 ,  B82Y40/00 ,  C01G41/02

Abstract: 本发明公开了一种超薄二水三氧化钨纳米片光催化剂的制备方法。采用溶剂热反应制备有机胺插层的有机‑无机杂化物。将10mL1.0mol/L的钨酸钠溶液与90mL3.0mol/L的盐酸溶液混合反应，得到二水三氧化钨块材粉末。取二水三氧化钨粉末与有机胺混合，100～150℃反应2～3天，得到有机胺插层的有机‑无机杂化物，然后用有机酸液相剥离形成二水三氧化钨超薄纳米片。取有机胺插层的二水三氧化钨与有机酸溶液混合，液相超声剥离得到二水三氧化钨超薄纳米片。本发明方法简便，易于操作，所制备的二水三氧化钨超薄纳米片具有较高的光催化活性。

公开(公告)号：CN106563442A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610945842.3

申请日：2016-11-02

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  张梦莹 ,  刘勇平 ,  闫艺 ,  杨之书 ,  耿鹏

IPC: B01J23/30 ,  B82Y40/00 ,  C01G41/02

CPC classification number: B01J23/30 ,  B01J35/004 ,  B82Y40/00 ,  C01G41/02 ,  C01P2002/01 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/24

Abstract: 本发明公开了一种超薄二水三氧化钨纳米片光催化剂的制备方法。采用溶剂热反应制备有机胺插层的有机‑无机杂化物。将10mL1.0mol/L的钨酸钠溶液与90mL3.0mol/L的盐酸溶液混合反应，得到二水三氧化钨块材粉末。取二水三氧化钨粉末与有机胺混合，100～150℃反应2～3天，得到有机胺插层的有机‑无机杂化物，然后用有机酸液相剥离形成二水三氧化钨超薄纳米片。取有机胺插层的二水三氧化钨与有机酸溶液混合，液相超声剥离得到二水三氧化钨超薄纳米片。本发明方法简便，易于操作，所制备的二水三氧化钨超薄纳米片具有较高的光催化活性。

公开(公告)号：CN106390991A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610945304.4

申请日：2016-11-02

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  张梦莹 ,  刘勇平 ,  闫艺 ,  杨之书 ,  耿鹏

IPC: B01J23/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G41/00 ,  C01G41/02

CPC classification number: B01J23/30 ,  B01J35/004 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G41/003 ,  C01G41/02 ,  C01P2004/16

Abstract: 本发明提供了一种超细WO3纳米线的制备方法。通过修饰的溶剂热法合成超细WO3纳米线，称取0.05～0.2g Na2WO4·2H2O和0.1～0.4g(NH4)2SO4，溶于6mL去离子水中，加入2mL 0.1～0.3mol/L的盐酸溶液并搅拌混合均匀得溶液A；取5mL环己烷与0.4g有机添加剂混合均匀得溶液B，将B溶液与A溶液混合所得乳状混合物在高压反应釜中150～200℃反应8～24小时，萃取、洗涤、干燥后得到超细WO3纳米线。本发明方法成本低，操作简便，一步完成，产率高，所制备的超细WO3纳米线具有较高的光催化活性，可用于光催化降解有机污染物。