公开(公告)号：CN107112241B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN104160512A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/6634

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN103828060A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047137.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  深津重光 ,  住友正清

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348

Abstract: 在半导体器件中，沟槽栅极（18）具有在漂移层（13）中的底部（18b）和从基极层（14）的表面延伸以与底部连通的连通部（18a）。在x方向上相邻底部之间的距离小于相邻连通部之间的距离。在连通部中的栅极绝缘层（16）厚于在底部中的栅极绝缘层（16）。将相邻的沟槽栅极之间的区域在y方向上分割为有效区（P）和无效区（Q），所述有效区（P）对应于发射极层，所述发射极层作为用于在施加栅极电压时将电子注入到漂移层中的注入源，所述无效区（Q）即使在施加栅极电压时也不用作注入源。无效区在y方向上的间隔L1（>0）、连通部在z方向上的长度D1、以及底部在z方向上的长度D2满足L1≤2（D1+D2）。z方向正交于由彼此正交的x方向和y方向所定义的x-y平面。

公开(公告)号：CN107112241A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN107836035B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201680041130.7

申请日：2016-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  星真一 ,  小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

公开(公告)号：CN108028204B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN108028204A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN107836035A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041130.7

申请日：2016-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  星真一 ,  小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/098 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

公开(公告)号：CN102403346B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110266729.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  樋口安史 ,  深津重光

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。