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公开(公告)号：CN104364907B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201380028289.1
申请日：2013-05-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0839 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66325 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。
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公开(公告)号：CN102403346B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110266729.X
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66348
Abstract: 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403346A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110266729.X
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66348
Abstract: 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。
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公开(公告)号：CN103918084A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280053666.2
申请日：2012-10-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/4238
Abstract: 在一种半导体装置中，第一组中的栅极电极(7a)与第一栅极焊盘(9a)连接，第二组中的栅极电极(7b)与第二栅极焊盘(9b)连接。可以通过所述第一栅极焊盘(9a)和所述第二栅极焊盘(9b)彼此独立地控制所述第一组中的栅极电极(7a)和所述第二组中的栅极电极(7b)。在关断时，在将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第二组中的栅极电极(7b)之后，将不形成反型层(15)的关断电压施加于所述第一组中的栅极电极(7a)。
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公开(公告)号：CN103828060A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047137.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834 , H01L29/0843 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66348
Abstract: 在半导体器件中，沟槽栅极（18）具有在漂移层（13）中的底部（18b）和从基极层（14）的表面延伸以与底部连通的连通部（18a）。在x方向上相邻底部之间的距离小于相邻连通部之间的距离。在连通部中的栅极绝缘层（16）厚于在底部中的栅极绝缘层（16）。将相邻的沟槽栅极之间的区域在y方向上分割为有效区（P）和无效区（Q），所述有效区（P）对应于发射极层，所述发射极层作为用于在施加栅极电压时将电子注入到漂移层中的注入源，所述无效区（Q）即使在施加栅极电压时也不用作注入源。无效区在y方向上的间隔L1（>0）、连通部在z方向上的长度D1、以及底部在z方向上的长度D2满足L1≤2（D1+D2）。z方向正交于由彼此正交的x方向和y方向所定义的x-y平面。
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公开(公告)号：CN103828060B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280047137.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0834 , H01L29/0843 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66348
Abstract: 在半导体器件中，沟槽栅极（18）具有在漂移层（13）中的底部（18b）和从基极层（14）的表面延伸以与底部连通的连通部（18a）。在x方向上相邻底部之间的距离小于相邻连通部之间的距离。将相邻的沟槽栅极之间的区域在y方向上分割为作为电子注入源的有效区（P）和不用作电子注入源的无效区（Q）。无效区在y方向上的间隔L（1 >0）、连通部在z方向上的长度D1、以及底部在z方向上的长度D2满足L1≤2（D1+D2）。z方向正交于由彼此正交的x方向和y方向所定义的x-y平面。
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公开(公告)号：CN104364907A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380028289.1
申请日：2013-05-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L29/0839 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66325 , H01L29/7397 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。
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