公开(公告)号：CN107112241A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN104220651B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN107112241B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN104220651A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN104160512A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/6634

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN104160512B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。