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公开(公告)号：CN104220651B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201280072011.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/08 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L33/007
Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。
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公开(公告)号：CN104220651A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201280072011.X
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/08 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L33/007
Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101920579A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010206746.X
申请日：2010-06-13
Applicant: 株式会社电装 , 株式会社电装普莱阿斯 , 株式会社尼邦
CPC classification number: B21D43/05 , B21D43/055 , B21K27/04
Abstract: 一种模具包括：固定模(2)；可动模(3)，其与固定模相对并且可在第一方向上往复运动以改变固定模和可动模之间的距离；以及输送机构(4)，其构造为在与第一方向交叉的第二方向上输送工件，在固定模和可动模之间对该工件执行塑性变形加工。输送机构包括：夹持/松脱工件的夹具部分(40)；与可动模接合以便与可动模的往复运动同步地往复运动的同步元件(11)；将同步元件的往复运动转换为工件由夹具部分夹持/松脱的夹持-松脱操作转换器(20)；以及将同步元件的往复运动转换为夹具部分的前进-返回操作从而夹具部分使工件在第二方向上前进并且在工件前进之后返回的前进-返回操作转换器(30)。
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公开(公告)号：CN105814673B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480066141.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以13族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。
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公开(公告)号：CN103890923B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280051561.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/337 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT和二极管。所述HEMT包括：具有GaN层和AlGaN层的衬底，所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极，所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极，所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。
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公开(公告)号：CN105814673A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066141.1
申请日：2014-08-28
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L23/291 , H01L23/3185 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 半导体装置，包含开关器件，该开关器件具备：由半绝缘性材料或半导体构成的衬底(1)、在衬底上形成的由以3族元素的氮化物为主成分的化合物半导体构成的沟道形成层(2，3)、在沟道形成层上隔着栅极绝缘膜(5)而形成有栅极电极(6)的栅极构造、在沟道形成层上夹着栅极构造而配置在栅极构造的两侧的源极电极(7)以及漏极电极(8)。沟道形成层中，将形成开关器件的区域作为元件区域，将元件区域的周围作为元件分离区域，由绝缘材料构成的崩塌抑制层(9)在元件区域中被形成在沟道形成层上，由与崩塌抑制层不同的绝缘材料构成的漏电抑制层(10)在元件分离区域中被形成在沟道形成层上。
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公开(公告)号：CN103890923A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051561.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/337 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 一种半导体器件：包括HEMT（10，20，21，30，31，32）和二极管（60，70）。所述HEMT包括：具有GaN层（13）和AlGaN层（14）的衬底（10），所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极（30），所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极（31），所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜（20，21）；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极（32）。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域（40）。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。
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