公开(公告)号：CN104220651A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN104220651B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201280072011.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 成田哲生 ,  伊藤健治 ,  冨田一义 ,  大竹伸幸 ,  星真一 ,  松井正树

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/08 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/007

Abstract: 得到在硅单晶基板上III族氮化物单晶进行阶梯流动生长的现象。在硅单晶基板的表面上形成取向成硅单晶的 轴的氧化物的膜，在该氧化物的膜的表面上使III族氮化物单晶进行结晶。由此，晶体生长的III族氮化物单晶的 轴取向成氧化物的c轴。如果对硅单晶基板赋予偏角，则III族氮化物单晶进行阶梯流动生长。通过将在硅单晶与氧化物的界面上形成的硅氧化物膜还原，氧化物的取向性得到改善。

公开(公告)号：CN104835834B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201510055472.1

申请日：2015-02-03

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 上杉勉 ,  加地彻 ,  菊田大悟 ,  成田哲生

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。

公开(公告)号：CN104835834A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510055472.1

申请日：2015-02-03

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 上杉勉 ,  加地彻 ,  菊田大悟 ,  成田哲生

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。