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公开(公告)号：CN108028204B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201680054542.4
申请日：2016-09-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。
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公开(公告)号：CN108028204A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054542.4
申请日：2016-09-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/28 , H01L29/0607 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/4236 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。
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公开(公告)号：CN107836035A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680041130.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L27/098 , H01L29/4236 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。
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公开(公告)号：CN114966487A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210155768.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种磁场发生器，包括：上层线圈(20)，其由第一导电材料构成并形成具有线圈部分(21)的环形电路；下层线圈(30)，其由第二导电材料构成并形成具有线圈部分(31)的环形电路，所述线圈部分(31)以预定距离与上层线圈的线圈部分相对布置；及基板(10)，其支撑所述上层线圈和所述下层线圈，并且具有位于所述上层线圈和所述下层线圈之间的介电材料。相反相位的高频电流分别通过所述上层线圈和所述下层线圈，并且所述上层线圈中的线圈部分和所述下层线圈中的线圈部分的每环长度与所述高频电流的一个波长匹配。
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公开(公告)号：CN107112241B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201580070212.X
申请日：2015-12-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104160512A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380012757.6
申请日：2013-03-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/42376 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/6634
Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。
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公开(公告)号：CN107836035B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201680041130.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L27/098 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。
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公开(公告)号：CN109155255A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031618.6
申请日：2017-04-06
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使p－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。
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