公开(公告)号：CN114498300A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111330110.0

申请日：2021-11-11

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  QD 激光公司

Inventor： 镰田裕树 ,  樽见浩幸 ,  大山浩市 ,  武政敬三 ,  西研一 ,  大西裕

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/068

Abstract: 半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。

公开(公告)号：CN109155255A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031618.6

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樽见浩幸 ,  小山和博 ,  阴泳信 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使p－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。

公开(公告)号：CN114498300B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202111330110.0

申请日：2021-11-11

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  QD 激光公司

Inventor： 镰田裕树 ,  樽见浩幸 ,  大山浩市 ,  武政敬三 ,  西研一 ,  大西裕

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/068

Abstract: 半导体激光装置包括：具有至少一个第一量子点层(242)和至少一个第二量子点层(243)的激活层(24)，第二量子点层(243)比第一量子点层(242)具有更长的发射波长。活性层(24)的增益光谱在分别对应于第一量子点层(242)的发射波长和第二量子点层(243)的发射波长的第一波长和长于第一波长的第二波长处具有最大值。将第一波长处的增益光谱最大值定义为第一最大值，将第二波长处的增益光谱最大值定义为第二最大值。第一最大值大于第二最大值。

公开(公告)号：CN109155255B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201780031618.6

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樽见浩幸 ,  小山和博 ,  阴泳信 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使u－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。