公开(公告)号：CN1519911A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN03127226.6

申请日：2003-09-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 泉谷淳子

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明旨在实现可以避免通孔塞与金属布线之间的接触不良的、具有布线连接结构的电子器件的制造方法。在形成通孔(8)的蚀刻工序中，用C4H8、O2及Ar的混合气体作为蚀刻气体。因而，至少在通孔(8)的侧壁的上部，通孔(8)的侧壁的表面形成没有微小凹凸的光滑形状。因此，在阻挡层金属膜(9)与通孔(8)的侧壁之间不会产生起因于上述微小凹凸的间隙，两者相互紧贴。其结果，在CMP工序后的氢氟酸清洗工序中，清洗液不会通过阻挡层金属膜(9)与通孔(8)的侧壁之间的间隙而渗入到金属膜(3)内。

公开(公告)号：CN101661900A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910158694.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福井胜一 ,  森本升 ,  西冈康隆 ,  泉谷淳子 ,  石井敦司

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。为了提供一种可以提高半导体器件可靠性的半导体器件制造方法，通过热CVD方法等形成用于覆盖半导体衬底中形成的半导体元件的、具有良好嵌入性质的第一绝缘膜。通过等离子体CVD方法形成具有优良抗潮性的第二绝缘膜以覆盖第一绝缘膜。形成塞以穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜。包括介电常数相对低的低k膜的第三绝缘膜形成于第二绝缘膜之上。布线通过大马士革技术形成于第三绝缘膜中以电耦合到塞。