用于电路板中的结晶玻璃合成物以及烧结结晶玻璃

    公开(公告)号:CN100540494C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200410007614.9

    申请日:1999-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种用于含有主要成分SiO2,MgO和CaO,同时含有附属成分(1)Al2O3,(2)BaO和SrO与/或ZnO的碱土金属氧化物中的至少一种,(3)Li2O,Na2O和K2O碱金属氧化物中的至少一种,和(4)B2O3中的至少一种的电路板的结晶玻璃合成物,其中主要成分中由重量百分比%表示的SiO2,MgO和CaO的合成比落在三元相图中连接点A’(25,70,5),B’(25,0,75),C’(44,0,56)和D’(44,51,5)的线围绕的区域内,其中,相对于100份重量的主要成分,含有组合比为0.5到50份重量的附属成分,同时含有附属成分(1)0.5到25份重量的Al2O3(如果有的话),(2)0.5到10份重量的BaO和SrO和/或ZnO的碱土金属氧化物中的一种(如果有的话),(3)0.5到5份重量的Li2O,Na2O和K2O中的碱金属氧化物中的一种(如果有的话),和(4)0.5到25份重量的B2O3,通过热处理所述合成物,使melwinite(Ca3MgSi2O8)、钙镁橄石(CaMgSiO4)和硅酸钙(CaSiO3,Ca3Si2O7,Ca2SiO4和Ca3SiO5中的至少一种)中的至少一种沉淀。

    多层陶瓷衬底及其制造方法

    公开(公告)号:CN1197445C

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN01142942.9

    申请日:2001-11-27

    CPC classification number: H01L21/481 Y10T29/49124

    Abstract: 一种具有适于煅烧的堆叠的多层陶瓷衬底,包含:具有限定腔体的开口的第一陶瓷生片;在对应所述开口的位置上没有开口的第二陶瓷生片;所述第一陶瓷生片和第二陶瓷生片堆叠在一起,并且腔体由至少在一个端面上沿片堆叠方向具有孔径限定并且延伸至所述第二陶瓷层限定的内周表面;以及位于所述第一陶瓷生片与第二陶瓷生片之间全部或一部分边界从而暴露于所述腔体内周边表面的收缩抑制层,其中所述收缩抑制垫包含玻璃成份,并且所述玻璃成份的软化温度小于或等于第一和第二陶瓷生片的收缩起始温度。

    多层陶瓷基片的制造方法

    公开(公告)号:CN1382011A

    公开(公告)日:2002-11-27

    申请号:CN02108024.0

    申请日:2002-03-25

    CPC classification number: H01L21/4807 B32B3/266 B32B38/14

    Abstract: 一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。

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