多层陶瓷基片的制造方法

    公开(公告)号:CN1200597C

    公开(公告)日:2005-05-04

    申请号:CN02108024.0

    申请日:2002-03-25

    CPC classification number: H01L21/4807 B32B3/266 B32B38/14

    Abstract: 一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。

    多层陶瓷衬底及其制造方法

    公开(公告)号:CN1197445C

    公开(公告)日:2005-04-13

    申请号:CN01142942.9

    申请日:2001-11-27

    CPC classification number: H01L21/481 Y10T29/49124

    Abstract: 一种具有适于煅烧的堆叠的多层陶瓷衬底,包含:具有限定腔体的开口的第一陶瓷生片;在对应所述开口的位置上没有开口的第二陶瓷生片;所述第一陶瓷生片和第二陶瓷生片堆叠在一起,并且腔体由至少在一个端面上沿片堆叠方向具有孔径限定并且延伸至所述第二陶瓷层限定的内周表面;以及位于所述第一陶瓷生片与第二陶瓷生片之间全部或一部分边界从而暴露于所述腔体内周边表面的收缩抑制层,其中所述收缩抑制垫包含玻璃成份,并且所述玻璃成份的软化温度小于或等于第一和第二陶瓷生片的收缩起始温度。

    多层陶瓷基片的制造方法

    公开(公告)号:CN1382011A

    公开(公告)日:2002-11-27

    申请号:CN02108024.0

    申请日:2002-03-25

    CPC classification number: H01L21/4807 B32B3/266 B32B38/14

    Abstract: 一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。

    多层陶瓷衬底及其制造方法

    公开(公告)号:CN1356864A

    公开(公告)日:2002-07-03

    申请号:CN01142942.9

    申请日:2001-11-27

    CPC classification number: H01L21/481 Y10T29/49124

    Abstract: 一种具有适于煅烧的堆叠的多层陶瓷衬底,包含:具有限定腔体的开口的第一陶瓷生片;在对应所述开口的位置上没有开口的第二陶瓷层;所述第一陶瓷生片和第二陶瓷生片堆叠在一起,并且腔体由至少在一个端面上沿片堆叠方向具有孔径限定并且延伸至所述第二陶瓷层限定的内周表面;以及位于所述第一陶瓷生片与第二陶瓷生片之间全部或一部分边界从而暴露于所述腔体内周边表面的收缩抑制层。

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