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公开(公告)号：CN103889889A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052671.1
申请日：2012-10-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L51/0092 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , H01L29/0665 , H01L29/151 , H01L31/035218 , H01L33/26
Abstract: 本发明提供一种能细微地控制纳米粒子的粒径、使该纳米粒子高密度靠近排列的功能性材料的制造方法。此外，还提供一种提高了电磁能量转换效率的电子部件。本发明的功能性材料的制造方法是含有至少担载或包含有纳米粒子的多孔金属络合物的功能性材料的制造方法，包括在将构成纳米粒子的多个粒子构成原料和多孔金属络合物添加到溶剂中后加热到所希望的温度，从而合成至少担载或包含在多孔金属络合物中的纳米粒子的工序。此外，本发明提供一种具有使用上述功能性材料的电子部件元件的电子部件，所述功能性材料含有至少担载或包含有纳米粒子的多孔金属络合物。
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公开(公告)号：CN1171639A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97113615.7
申请日：1997-06-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P1/215
CPC classification number: B82Y25/00 , H01F10/245 , H01F10/3209 , H01F41/28 , H03H2/001 , Y10S428/90
Abstract: 本发明提供一种静磁波器件,它即使用厚度较小的磁性石榴石薄膜R,A:YIG制造也可以正常工作并且具有较宽的频带。La,Bi,Gd和Lu是化学式(Y1－rRr)3(Fe1－aAa)5O12表示的静磁波器件材料中替换R的合适元素而Al,Ga,In和Sc是替换A的合适元素,r和a的范围分别为0≤r≤1和0≤a≤1;并且r和a不能同时为零。而且所述磁性石榴石薄膜的晶体结构为超晶格。
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公开(公告)号：CN1914727A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200480041543.2
申请日：2004-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106
Abstract: 以往的电子零部件，因有源零部件与无源零部件集中配置在陶瓷基板的一面上，故有源零部件与无源零部件之间存在相互电磁干扰。另外当将树脂层粘接陶瓷基板时，由于树脂的热硬化，树脂层相对陶瓷基板在硬化前后引起大的体积变化，易发生层间剥离。本发明的电子零部件10，封入第1、第2树脂层14、15内的有源芯片零部件12及无源芯片零部件13分配于核心基板11的上下两面，屏蔽用金属膜16形成在第1树脂层14的上面，且其内部形成连接核心基板11的电路图形与屏蔽用金属膜16的第1通孔导体17，外部端电极18形成在第2树脂层15的下面，且其内部形成连接外部端电极18与核心基板11的电路图形第2通孔导体19。
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公开(公告)号：CN1064938C
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN96113435.6
申请日：1996-10-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/472 , C04B35/48 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/187 , C04B35/491 , C04B35/64
Abstract: 一种机械品质因子Qm小，耐热性优良的压电陶瓷，例如群延迟时间特性平坦和相位失真小并可适用于表面安装的滤波元件中所用的压电陶瓷，以及稳定地制造这种压电陶瓷的方法。使氧化锰和氧化铅以高浓度(相对于压电陶瓷晶体内的晶粒中而言)共存于至少含有铅、锆和钛的复合氧化物的压电陶瓷的晶粒边界部分。其制造方法是将锰化合物和铅化合物粘附于压电陶瓷的表面，然后进行热处理，使金属氧化物扩散至该压电陶瓷的晶粒边界部分。
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公开(公告)号：CN1161314A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96121402.3
申请日：1996-11-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/499 , C04B35/495 , H01L41/16
CPC classification number: H01L41/187
Abstract: 本发明涉及一种压电陶瓷，该种压电陶瓷具有低机械品质系数Qm和优良的耐热性，例如一种适合用于表面安装型滤波元件的压电陶瓷。所述压电陶瓷至少包含铅、锆和钛的复合氧化物，并包含锰、硅和硼的氧化物，在晶粒边界层的氧化锰浓度高于其在压电陶瓷晶粒内部的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1083498C
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN97119363.0
申请日：1997-09-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种具有Ca3Ga2Ge4O14晶体结构并含有Ge作为组成元素的大尺寸氧化物晶体及其制造方法。该氧化物单晶可通过制备含Ge的原料熔化物和在单晶生长气氛中从所述原料熔化物生长所述氧化物单晶的制造方法制得，其特征在于所述原料含有化学计量上过量的GeO2，或所述单晶生长气氛是氧气分压大于2×10-1atm的气体。
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公开(公告)号：CN1041224C
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN95104010.3
申请日：1995-04-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C30B19/00
CPC classification number: C30B19/06 , C30B19/02 , C30B29/28 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。
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公开(公告)号：CN1156131A
公开(公告)日：1997-08-06
申请号：CN96114540.4
申请日：1996-11-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/495 , H01L41/16
CPC classification number: H01L41/187
Abstract: 本发明提供了一种铌酸铅压电陶瓷组合物，它可用于在高温使用的压电陶瓷元件，如压电陶瓷传感器，该种压电陶瓷组合物是在空气中烧结的，其居里温度高于400℃。这种压电陶瓷组合物以具有钨青铜型晶体结构的陶瓷组合物作为主要组分，该组合物可表示为(Pb1-(a+b+c)A12aA2bA32c/3)X(Nb1-(d+e+f+g)B15d/3B25e/4B3fB45g/6)yO3y-δ，其中A1表示一种单价金属元素，A2表示一种二价金属元素，A3和B1各表示一种三价金属元素，B2表示一种四价金属元素，B3表示一种五价金属元素，B4表示一种六价金属元素，δ表示缺陷的数量，而a，b，c，d，e，f，g，x和y满足以下关系：0≤a，0≤b，0≤c，0≤d，0≤e，0≤f，0≤g，0.015
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公开(公告)号：CN1151981A
公开(公告)日：1997-06-18
申请号：CN96113436.4
申请日：1996-10-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/472 , C04B35/48 , H01L41/16
CPC classification number: C04B35/64 , C04B35/491 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供了一种机械品质因子Qm小，耐热性优良的压电陶瓷，例如可适用于表面安装的滤波元件中所用的压电陶瓷，以及稳定地大量制造这种压电陶瓷的方法。所述压电陶瓷是至少含有铅、锆和钛的复合氧化物，其中锰的氧化物以高于其在该压电陶瓷晶粒中的密度分布于晶粒边界层，而且在晶粒边界层存在玻璃相。其制造方法是将锰化合物和玻璃材料沉积于包括至少含有铅、锆和钛的复合氧化物的压电陶瓷的表面，然后进行热处理，使沉积的物质扩散至该压电陶瓷的晶粒边界部分。
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公开(公告)号：CN1186294C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN99121568.0
申请日：1999-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C03C10/0009 , H01L23/15 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种结晶玻璃合成物，用于一种电路板中，它能够在1100℃温度下烧结，并能够赋予玻璃合成物作为用于电路板中的电气绝缘体的良好的特性，诸如相对介电常数只有1/2那么低，热膨胀系数有12ppm/℃那么高，其中，用于电路板中的结晶玻璃合成物含有SiO2，MgO和CaO，SiO2，MgO和CaO由重量百分比表示的合成比落在由图1中的三元相图中的连接点G(30，19，51)，H(30，5，65)，I(44，5，51)和J(44，19，37)的线所围绕的区域内，通过热处理，使马维尼特(Ca3MgSi2O8)、钙镁橄石(CaMgSiO4)和硅酸钙中的至少一种结晶相沉淀，有时将热膨胀系数为6.0ppm/℃或者更大的陶瓷粉末加到包含这种玻璃合成物中的粉末中。
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