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公开(公告)号：CN1365135A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01144074.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/00
Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置,而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质,构成光掩模M的遮光体图形2。通过利用该光掩模M的缩小投影处理,把图形复制到半导体晶片5上的光刻胶6中。该曝光处理时,作为曝光光3,例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围,可以选择曝光光。
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公开(公告)号：CN1193405C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01144074.0
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F1/00
Abstract: 短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模M的遮光体图形(2)。通过利用该光掩模M的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片(5)上的光刻胶(6)中。该曝光处理时，作为曝光光(3)例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围，可以选择曝光光。
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公开(公告)号：CN1264887C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02151387.2
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种可以较少的工序数目制造、高精度且低缺陷的KrF准分子激光平版印刷法用光掩模。本发明的KrF准分子光平版印刷法用光掩模，是在石英玻璃基板(10)上直接形成可将KrF受激准分子激光(波长：约248nm)有效地吸收的抗蚀图案(18)。抗蚀图案(18)，是由以在萘环导入至少结合有一羟基的高遮光性水性碱可溶性树脂或该水性碱可溶性树脂的衍生物作为高分子树脂基质的水性碱可溶性树脂作为主成分的感光性树脂组合物所构成。
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公开(公告)号：CN1428358A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02151387.2
申请日：2002-11-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种可以较少的工序数目制造、高精度且低缺陷的KrF准分子激光平版印刷法用光掩模。本发明的KrF准分子光平版印刷法用光掩模，是在石英玻璃基板(10)上直接形成可将KrF受激准分子激光(波长：约248nm)有效地吸收的抗蚀图案(18)。抗蚀图案(18)，是由以在萘环导入至少结合有一羟基的高遮光性水性碱可溶性树脂或该水性碱可溶性树脂的衍生物作为高分子树脂基质的水性碱可溶性树脂作为主成分的感光性树脂组合物所构成。
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