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公开(公告)号：CN1229524A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN96180439.4
申请日：1996-08-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 将氧化物介质用于电容器的半导体器件的制造方法,抑制电容器下电极界面处的氧化。该氧化物介质电容器由下电极层11、位于下电极层11上的氧化物介质层16、和位于氧化物介质层16上的上电极层17构成。下电极层11包括双层导电氧化物层12。相邻的两层14和15按相同结晶结构用相同元素构成。靠近衬底10侧的层14包括不充足的氧,所以可以防止与层14相邻的下电极层的单元13及其界面的氧化,从而确保其间的适当电连接。
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