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公开(公告)号：CN101499399B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN101499399A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN103258707A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310162785.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN103258707B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310162785.8
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101685772B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101685772A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN104941398A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510092944.0
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: A61L9/16 , A61L9/22 , A61L2209/212 , B01D53/323 , B01D53/8631 , B01D53/869 , B01D2251/104 , B01D2255/802 , B01D2257/406 , B01D2257/702 , B01D2257/708 , B01D2257/90
Abstract: 本发明公开了一种气体处理装置。一个实施例的一种气体处理装置包括：与彼此相面对的第一和第二电介质基板；分别布置在电介质基板的一对相面对的主表面上的第一和第二放电电极；分别布置在电介质基板的所述主表面的相反侧的一对主表面上的第一和第二地电极；气体流路，用于在放电电极之间供应要处理的气体；AC电源，用于通过在放电电极与地电极之间施加AC电压来生成第一和第二等离子诱发流；以及从放电电极起在等离子诱发流的下游在电介质基板之间布置的区域，并且电介质基板之间的间隙是等离子诱发流的厚度之和的1.3倍以下。
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公开(公告)号：CN102549724B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN200980161197.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32174
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，其包括：腔室；配置于所述腔室内的第一电极；在所述腔室内与所述第一电极相对配置、保持基板的第二电极；对所述第二电极施加50MHz以上的频率的RF电压的RF电源；脉冲电源，该脉冲电源对所述第二电极反复施加与所述RF电压重叠的、包含负电压脉冲和从该负电压脉冲起延迟时间为50n秒以下的正电压脉冲的电压波形。
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公开(公告)号：CN101277580B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810090518.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。
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公开(公告)号：CN105280489A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510102366.4
申请日：2015-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32577 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J2237/20214 , H01J2237/3341 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和等离子处理方法，该等离子处理装置具备有：腔室、导入部、基板电极、高频电源、低频电源和切换机构。导入部向腔室内导入处理气体。基板电极配置在腔室内，直接或间接载置有基板，具有交互配置的第1、第2电极元件群。高频电源输出40MHz以上的高频电压，用于使处理气体离子化，产生等离子体。低频电源输出20MHz以下的低频电压，用于从等离子体中引入离子。切换机构向所述第1、第2电极元件群交互施加所述低频电压。
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