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公开(公告)号：CN110021878A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN110011182A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810010147.7
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。
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公开(公告)号：CN102194934A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275570.3
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。
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公开(公告)号：CN1885581A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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公开(公告)号：CN108701964A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1983655A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610169471.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01322 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。
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公开(公告)号：CN108701964B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN109428262A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811029974.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
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公开(公告)号：CN102194934B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010275570.3
申请日：2010-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、晶片、用于制造半导体发光器件的方法和用于制造晶片的方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一层、第二层以及发光部。第一层包含n型GaN和n型AlGaN中的至少一种。第二层包含p型AlGaN。发光部具有单量子阱结构。单量子阱结构包括第一势垒层、第二势垒层以及阱层。第一势垒层被设置在第一层与第二层之间并包含Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1，0≤y1，x1+y1＜1)。第二势垒层被设置在第一势垒层与第二层之间并包含Alx2Ga1-x2-y2Iny2N(0＜x2，0≤y2，x2+y2＜1)。阱层被设置在第一势垒层与第二势垒层之间，包含Alx0Ga1-x0-y0Iny0N(0≤x0，0＜y0，x0+y0＜1，y1＜y0，y2＜y0)并被配置为发射近紫外光。
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公开(公告)号：CN100461478C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610169471.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/01019 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01322 , H01L2924/10156 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种发光器件，其包括：衬底；发光元件，配置为发射具有第一波长的光，所述发光元件具有电极对且形成在所述衬底上方；金属层，置于所述衬底和发光元件之间且具有平面结构；以及形成在所述金属层上的波长转换层。所述金属层的周边至少部分地由多个凸出部分和多个凹入部分构成。所述多个凸出部分位于所述发光元件的外部。所述波长转换层吸收从所述发光元件发射的光的至少部分并转换所述第一波长，由此发射具有与所述第一波长的波长不同的第二波长的光。
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