公开(公告)号：CN109502538A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810194325.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富泽英之 ,  斋藤友博 ,  藤本明 ,  久留井庆彦 ,  小岛章弘

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明涉及连接结构及其制造方法以及传感器。实施方式涉及插头与硅锗层的连接结构。提供能减小插头与硅锗层之间的接触电阻的连接结构。实施方式涉及的连接结构包含：具有导电性的插头(20)；将插头(20)的侧面覆盖的第1绝缘膜(21、22)；和在插头(20)的上表面上设置且包含多晶硅锗层(25)和非晶硅锗层(26)的电极(24)。多晶硅锗层(25)对于插头(20)的上表面的至少一部分没有经由非晶硅锗层(26)地接触。

公开(公告)号：CN112444275B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010160142.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  富泽英之 ,  中村直文

IPC: G01D5/241 ,  G01P15/125

Abstract: 提供能够提高灵敏度的传感器。根据一个实施方式，传感器包括基体、第1结构体及第2结构体。第1结构体包括第1固定部、第1导电部及多个第1电极。第1固定部被固定于基体。第1导电部被保持于第1固定部。第1导电部在第1方向上与基体分离。多个第1电极被保持于第1导电部。从多个第1电极中的一个朝向多个第1电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第2结构体包括第2导电部及多个第2电极。第2导电部被固定于基体。多个第2电极被保持于第2导电部。多个第2电极中的一个位于多个第1电极中的一个与多个第1电极中的另一个之间。多个第1电极中的一个的沿着第1方向的第1电极长度比第1导电部的沿着第1方向的第1导电部长度短。

公开(公告)号：CN112444273B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202010160792.4

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社东芝(JP)

Inventor： 藤本明 ,  富泽英之 ,  汤泽亚希子 ,  中村直文

IPC: G01D5/12

Abstract: 根据一个实施方式，涉及的传感器包括基体、第1可动构造体以及第1固定构造体。所述第1可动构造体包括多个第1可动电极。多个第1可动电极与基体之间的沿着第1方向的距离可变，所述第1方向是从基体朝向多个第1可动电极的方向。从多个第1可动电极中的一个朝向多个第1可动电极中的另一个的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。所述第1固定构造体包括多个第1固定电极。多个第1固定电极中的一个位于多个第1可动电极中的所述一个与多个第1可动电极中的所述另一个之间。多个第1可动电极中的所述一个的沿着第1方向的第1可动电极长度比多个第1固定电极中的所述一个的沿着第1方向的第1固定电极长度短。由此，提供具有高检测能力的传感器。