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公开(公告)号：CN1498429A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN02806836.X
申请日：2002-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3948 , G11B2005/3996 , H01F41/302 , H01L43/08 , Y10T428/1143 , Y10T428/115
Abstract: 本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件，通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜，将该底膜在400℃以上进行热处理，在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度，在其后，可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内，若添加M1(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素)，所述最长距离相对地降低。
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公开(公告)号：CN1488176A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN1112675C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN100365843C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1281969C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100-aXa表示的铁磁材料M-X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为Xb1Xc2Xd3(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1141700C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN100466322C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN1503912A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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公开(公告)号：CN1124594C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
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