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公开(公告)号：CN112201709A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011021159.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法与应用。本发明所述硒化锑薄膜太阳电池，其结构自下而上依次为：透明导电玻璃衬底、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层和背电极；其中，所述p型吸收层为硒化锑薄膜，所述硒化锑薄膜由Sb2Se3源在200～300℃的Se蒸气氛围下沉积得到。本发明通过引入高温高活性的Se蒸气，实现了生长过程中的化学环境的调控，降低了薄膜中的硒空位及缺陷密度，改善了薄膜电学性质，进而提高了硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN113745359B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110986532.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114530511B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202210150537.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 暨南大学 , 成都中建材光电材料有限公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。
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公开(公告)号：CN114530511A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210150537.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。
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公开(公告)号：CN112201699A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011019743.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有背接触结构的硒化锑太阳电池及其制备方法与应用。所述硒化锑太阳电池自下而上依次包括：透明导电电极、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层、背接触缓冲层、金属电极，其中，背接触缓冲层的材料为取向性一维Ⅵ族半导体材料。本发明通过采用取向性一维Ⅵ族半导体材料作为背接触缓冲层显著抑制了背接触面载流子复合，提高了空穴的收集效率，降低了接触电阻，进而提高硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN115939234A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110986511.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/042 , C23C14/06 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种三方晶系硒薄膜的制备方法及其太阳电池。本发明通过热蒸发或热升华法，在衬底生长温度高于硒的固相与气相的相变温度点，即发生二次升华的条件下沉积，制得三方晶系硒薄膜；制备过程中，衬底生长温度为190℃～210℃，硒源温度为210～240℃，硒薄膜生长时间为10s～10min。本发明首次提出一种基于高温二次升华过程方法直接制备高质量三方晶系硒，无需进行二次重结晶过程，通过调控生长温度、生长时间以及生长气氛来控制硒薄膜的成核生长、晶粒生长、晶格取向，以获得物相单一、晶格取向可控和晶粒排列致密的高质量三方晶系硒薄膜，进而提高硒基太阳电池器件性能的技术。
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公开(公告)号：CN113745359A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110986532.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉梯度吸收层的制备方法及太阳电池。该方法包括：在硒源层上沉积p型CdTe薄膜，当CdTe薄膜沉积完成后进行快速超高温扩散反应过程，然后进行激活热处理工艺，快速超高温扩散反应过程是指在CdTe薄膜沉积完成后，将沉积得到的薄膜叠层快速升温至550～620℃的高温，高压氮气或惰性气体环境下，保持1～20min，然后快速降温。本发明提出通过在吸收层沉积完毕后，引入高温扩散反应过程，调控优化Se在吸收层中均匀扩散反应，形成组分分布可控和低缺陷浓度的高质量CdTeSe/CdTe梯度结构吸收层，显著改善了梯度吸收层组分分布及电学特性，有效提高了CdTe太阳电池的光电转换效率。
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