公开(公告)号：CN114242819B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202111548932.6

申请日：2021-12-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 麦耀华 ,  刘聪 ,  沈凯 ,  王晓青

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN114242819A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111548932.6

申请日：2021-12-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 麦耀华 ,  刘聪 ,  沈凯 ,  王晓青

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN112201699A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011019743.5

申请日：2020-09-25

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  麦耀华 ,  张玉 ,  王晓青 ,  刘娇 ,  鲍飞雄

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有背接触结构的硒化锑太阳电池及其制备方法与应用。所述硒化锑太阳电池自下而上依次包括：透明导电电极、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层、背接触缓冲层、金属电极，其中，背接触缓冲层的材料为取向性一维Ⅵ族半导体材料。本发明通过采用取向性一维Ⅵ族半导体材料作为背接触缓冲层显著抑制了背接触面载流子复合，提高了空穴的收集效率，降低了接触电阻，进而提高硒化锑薄膜太阳电池器件性能。

公开(公告)号：CN112201709A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011021159.3

申请日：2020-09-25

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  麦耀华 ,  张玉 ,  王晓青 ,  刘娇 ,  鲍飞雄

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法与应用。本发明所述硒化锑薄膜太阳电池，其结构自下而上依次为：透明导电玻璃衬底、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层和背电极；其中，所述p型吸收层为硒化锑薄膜，所述硒化锑薄膜由Sb2Se3源在200～300℃的Se蒸气氛围下沉积得到。本发明通过引入高温高活性的Se蒸气，实现了生长过程中的化学环境的调控，降低了薄膜中的硒空位及缺陷密度，改善了薄膜电学性质，进而提高了硒化锑薄膜太阳电池器件性能。