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公开(公告)号：CN112201709A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011021159.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法与应用。本发明所述硒化锑薄膜太阳电池，其结构自下而上依次为：透明导电玻璃衬底、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层和背电极；其中，所述p型吸收层为硒化锑薄膜，所述硒化锑薄膜由Sb2Se3源在200～300℃的Se蒸气氛围下沉积得到。本发明通过引入高温高活性的Se蒸气，实现了生长过程中的化学环境的调控，降低了薄膜中的硒空位及缺陷密度，改善了薄膜电学性质，进而提高了硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN110828602B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911028902.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0272 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN112201699A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011019743.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有背接触结构的硒化锑太阳电池及其制备方法与应用。所述硒化锑太阳电池自下而上依次包括：透明导电电极、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层、背接触缓冲层、金属电极，其中，背接触缓冲层的材料为取向性一维Ⅵ族半导体材料。本发明通过采用取向性一维Ⅵ族半导体材料作为背接触缓冲层显著抑制了背接触面载流子复合，提高了空穴的收集效率，降低了接触电阻，进而提高硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN110828602A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911028902.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0272 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。
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