公开(公告)号：CN118270739A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211726035.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 暨南大学 ,  成都中建材光电材料有限公司

Inventor： 沈凯 ,  周逸良 ,  麦耀华 ,  潘锦功 ,  傅干华

IPC: C01B19/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明公开了一种硒基化合物薄膜及其制备方法与应用。本发明通过超高温生长过程获得存在硒元素缺失的特定物相的高结晶质量的硒基化合物，然后在含硒环境下热处理硒基化合物，保持特定物相和改善硒元素化学计量比，得到特定物相和特定硒元素化学计量比的硒基化合物。相比传统制备方法，该制备方法显著改善了硒基化合物薄膜制备的可控性，得到高结晶质量、硒组分可控、低缺陷密度的硒基化合物薄膜，从而提高基于硒基化合物功能层的光电器件性能。

公开(公告)号：CN114530511B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202210150537.0

申请日：2022-02-18

Applicant: 暨南大学 ,  成都中建材光电材料有限公司

Inventor： 沈凯 ,  麦耀华 ,  刘娇 ,  傅干华 ,  蒋猛 ,  唐茜 ,  周逸良

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。

公开(公告)号：CN114530511A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210150537.0

申请日：2022-02-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 沈凯 ,  麦耀华 ,  刘娇 ,  傅干华 ,  蒋猛 ,  唐茜 ,  周逸良

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。