公开(公告)号：CN114695038A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110973725.9

申请日：2021-08-24

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 永尾友一 ,  宇井利昌 ,  安田圭佑

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种空心阴极及离子源，能够将成为在等离子体生成容器中生成的等离子体的原料的原料气体及电子通过空心阴极稳定地供给到等离子体生成容器。在安装于离子束照射装置的离子源所具有的等离子体生成容器的空心阴极及具备该空心阴极的离子源中，该空心阴极具备电子放出构件，该电子放出构件通过被加热而放出电子，并形成有内部流路。被设为向内部流路导入原料气体并将通过了内部流路的原料气体及在内部流路中生成的电子供给到等离子体生成容器的结构，而且，电子放出构件由单质金属形成。

公开(公告)号：CN117438264A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310749823.3

申请日：2023-06-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 宇井利昌

IPC: H01J37/08

Abstract: 本发明提供离子源，提高离子束的引出效率。一种离子源(1A)，具备：等离子体生成容器(10A)，具有生成等离子体的内部空间(IS)；电子发射部件(30)，配置在内部空间(IS)，具有发射电子的电子发射部(31)；以及磁场形成单元(20A)，在内部空间(IS)形成封闭磁场，从内部空间(IS)通过形成在等离子体生成容器(10A)的引出开口(12a)向一个方向(D)引出离子束(IB)，磁场形成单元(20A)以从电子发射部(31)到引出开口(12a)而磁场的朝向与一个方向(D)一致的方式形成封闭磁场。

公开(公告)号：CN117790320A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310901126.5

申请日：2023-07-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  永尾友一 ,  宇井利昌

IPC: H01L21/425 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及提供一种可降低形成显示器的TFT的氧化物半导体膜的电阻值的离子束照射装置及离子束照射方法。离子束照射装置设为在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物(T)照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将照射对象物(T)加热的加热装置(30)，且构成为在加热装置(30)将照射对象物(T)加热之后，以使得至少一部分的离子可贯通氧化物半导体膜的方式照射离子束(IB)。

公开(公告)号：CN308472012S

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202230693032.X

申请日：2022-10-20

Applicant: 日新离子机器株式会社

Designer： 宇井利昌

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：等离子体生成腔室的主体。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品的局部和整体用作等离子体生成腔室。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
5.后视图与主视图相同，省略后视图;左视图与右视图相同，省略左视图。
6.其他需要说明的情形其他说明：本外观设计涉及局部外观设计，实线表示的部分是
希望作为局部外观设计进行保护的部分。
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