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公开(公告)号：CN115315537A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180020973.X
申请日：2021-03-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C23C14/06 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23C14/35 , C30B23/08 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 本申请提供抑制对于氮化物层的污染，改善了结晶性的氮化物层叠体。所述氮化物层叠体具备高分子基材以及形成于上述高分子基材的至少一面的氮化物层，上述氮化物层为具有纤维锌矿型晶体结构的氮化物层，上述氮化物层所包含的氧原子的存在原子量为2.5atm.％以下，氢原子的存在原子量为2.0atm.％以下，X射线摇摆曲线的半值总宽度为8°以下。
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公开(公告)号：CN115243884A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020044.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 涉及一种电磁波透过性金属光泽构件，其具备基体和形成于前述基体上的金属层，前述金属层包含多个部分，所述多个部分中，至少一部分处于彼此不连续的状态，前述金属层包含含有铝元素的部分和含有铟元素的部分，前述含有铟元素的部分在前述金属层内偏重存在，前述金属层中的前述含有铟元素的部分的体积分数(体积％)为5～40体积％。
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公开(公告)号：CN113632183A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080023540.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 加热器(1a)具有基板(10)、发热体(20)、中间层(30)和至少一对供电用电极(40)，所述发热体(20)为透明导电膜(20)。中间层(30)配置在基板(10)与透明导电膜(20)之间，并且具有位于比基板(10)更靠近透明导电膜(20)的位置的第一主面(31)。一对供电用电极(40)与透明导电膜(20)接触。中间层(30)含有形成固化物的有机聚合物(32)和分散在固化物中的二氧化硅或金属氧化物的粒子(34)。透明导电膜(20)的表面的在JIS B0601：2013中规定的算术平均粗糙度Ra为7.0nm以下。
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公开(公告)号：CN113574692A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021284.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L41/047 , G01L1/16 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/29
Abstract: 本发明提供一种压电器件,其能够抑制包夹压电体层(13)的电极间的泄漏,从而能够降低压电特性的劣化。压电器件(10A)在基材(11)之上依次层叠第一电极(12)、压电体层、以及第二电极(14),上述第一电极和上述第二电极成为在层叠方向彼此不重合的配置。
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公开(公告)号：CN112534964A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051603.5
申请日：2019-07-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 加热器(1a)具备基板(10)、透明导电性氧化物层(20)、第一供电用电极(31)和第二供电用电极(32)。第一供电用电极(31)在特定方向上的电阻及第二供电用电极(32)在特定方向上的电阻之和相对于第一供电用电极(31)与第二供电用电极(32)之间的透明导电性氧化物层(20)的电阻的比为45％以下。透明导电性氧化物层(20)具有20～250nm的厚度，且由具有1.4～3.0×10‑4Ω·cm的电阻率的材料形成。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110383964A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201780087923.7
申请日：2017-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 电磁波吸收体(1a)具备：作为电介质层或磁性体层的第一层(10a)、和设置于第一层(10a)的至少单侧的导电层(20a)。将电磁波吸收体(1a)在温度85℃及相对湿度85％的环境中暴露1000小时后，导电层(20a)具有100Ω/□以下的薄层电阻。电磁波吸收体(1a)具有7000MPa·mm4以下的弯曲刚度。
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公开(公告)号：CN108353521B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680062050.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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公开(公告)号：CN105070353B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510435735.1
申请日：2011-12-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B5/14 , C23C14/024 , C23C14/086 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜及其制造方法。本发明的透明导电性薄膜一种透明导电性薄膜，其具备：挠性透明基材、和在80℃～180℃的基板温度下通过溅射法形成于挠性透明基材上的由结晶性的铟·锡复合氧化物构成的透明导电层，所述挠性透明基材含有包含聚酯系树脂的透明基体薄膜，且所述透明导电层的结晶化温度为160～210℃，所述透明导电层的压缩残余应力为0.4～2GPa。
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公开(公告)号：CN104919541B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480005113.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10‑4～2.0×10‑4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
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