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公开(公告)号：CN120089647A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510529772.2
申请日：2025-04-25
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种新型微流道散热结构，涉及散热结构技术领域。包括：基底和设置在基底上的微流道；微流道包括：第一主通道、第二主通道、微流道主体、副流道；微流道主体的进水口与出水口通过第一主通道与第二主通道相连，第一主通道与进水口连接，第二主通道与出水口连接，副流道设置在微流道主体内部以形成十字交叉结构，微流道主体为串行结构并有多个圆形单元构成；进水口设置在微流道主体的上方，出水口设置在微流道主体的下方，进水口和出水口均左右对称设置；第一主通道和第二主通道均用于对冷却液进行流导，微流道主体用于根据副流道形成多分流结构和汇流结构。本发明解决了现有技术中散热结构的散热效果低下的问题。
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公开(公告)号：CN120076461A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510511511.8
申请日：2025-04-23
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种侧面喷涂石墨烯薄膜的光芯片的制备方法及光芯片，涉及半导体技术领域。本发明的方法包括：将待喷涂石墨烯的光芯片放置于金属片上，衬底与金属片直接接触，并引出导线接地；在光芯片侧面放置两片挡板，挡板中间设有与光芯片侧面等长宽的镂空部分，光芯片通过镂空部分固定在挡板上；将石墨烯粉末和空气通过供粉管和供气管进入喷枪，产生带电和不带电的石墨烯粉末；通过喷嘴引导粉末飞向光芯片侧面，使带电石墨烯粉末附着于其上；最后将光芯片置于烤箱中烘烤，冷却至室温，使石墨烯薄膜固化。该方法使用的设备简单、操作方便，能有效增大SOA芯片的散热面积，提高散热效率，降低功耗，提升半导体光放大器的效率。
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公开(公告)号：CN120048807A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510511387.5
申请日：2025-04-23
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/367 , C23C16/27 , H01L21/48 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种光芯片的CVD金刚石散热结构及其制备方法，涉及热沉片技术领域，结构包括多片热沉片；所述热沉片设置在光模块芯片顶层封装材料砷化镓上；各个所述热沉片之间设置有横向间距和纵向间距；各个所述热沉片构成栅格式结构。本发明借助砷化镓的电子特性和光电特性将其作为光刻基底，借助金刚石的高导热性将其作为热沉片生长在光模块芯片上。本发明在光模块芯片上添加金刚石热沉片可以满足大功率器件的散热需求，显著提高芯片的散热效果，有效地降低光模块芯片的温度，从而降低器件的损耗。
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公开(公告)号：CN119943786A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510361070.8
申请日：2025-03-26
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种芯片界面微流道水冷散热器，涉及芯片散热技术领域，包括芯片、盖板，所述芯片的背部设置所述盖板，所述盖板的下板体设置有散热结构；所述散热结构包括水冷散热结构及散热鳍板，所述盖板的下板体设置所述水冷散热结构，所述水冷散热结构为发散转角式结构，且所述水冷散热结构的进水口设置在与芯片中心相对应的位置，出水口设置在水冷散热结构的四周；所述散热鳍板设置在水冷散热结构的下侧。本发明通过改变流道几何分布控制水流速度，加速中心芯片热源散热速度，可对芯片进行良好散热。
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公开(公告)号：CN119629980A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411912757.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种嵌合金刚石的光模块屏蔽罩结构及其制备方法，涉及电子元器件领域。本发明的屏蔽罩位于光模块中PCB板的光芯片上方。在屏蔽罩上进行开口处理，根据尺寸嵌合金刚石散热块，并与光芯片一起封装。由于金刚石有良好的散热性能，本发明采用金刚石块嵌合在屏蔽罩上方，在不影响其电磁屏蔽效果的条件下为芯片散热，通过本发明能够为光模块中的光芯片屏蔽内外电磁干扰并提升其散热效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119987264A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510319741.4
申请日：2025-03-18
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: G05B19/042 , G01J3/28
Abstract: 本发明提供了一种光模块智能光窗系统，涉及光模块技术领域。包括：电源模块用于为判定模块、控制模块和选择模块进行供电，判定模块用于利用光谱分析技术对输入光进行波段分析，得到光束波段信息集并根据光束波段信息集确定输入光对应的输入光类型，控制模块用于根据光束波段信息集得到变化电压数据并根据变化电压数据确定对应的转换指令，选择模块用于根据输入光类型选择对应的光窗，切换模块用于根据对应的转换指令将当前的光窗进行切换。本发明解决了现有技术中对多种光束的分析与选择存在的局限性，无法有效筛选光束以及无法根据不同种类的光束切换光窗材料的问题。
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公开(公告)号：CN118460120A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410546065.X
申请日：2024-05-06
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
Abstract: 一种金刚石复合导热胶及其制备方法与应用，属于电子封装技术领域，在烧杯中取水玻璃溶液加入MgO搅拌得溶液A，将60μm、20μm、10μm三种粒度的金刚石粉末与溶液A搅拌得到溶液B，将溶液B放入真空干燥箱中，常温抽真空后以80℃固化12h，冷却后脱模，得到制备好的金刚石复合导热胶；通过将金刚石研磨成金刚石粉加入到导热胶中形成金刚石复合导热胶，由于金刚石硬度大且导热胶具有固化速度适中的特点，由此在导热胶固化后能够为光放大器提供稳定的结构，不会受温度因素对波导层经行挤压，这样保证了其具有很好的粘合性，能够粘合半导体光放大器中的波导层与覆盖层，光芯片的上表面和外壳等。
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公开(公告)号：CN120076460A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510511488.2
申请日：2025-04-23
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F77/14 , H10F77/60 , H10F77/00 , C01B32/184
Abstract: 本发明提供了一种以石墨烯为衬底的光芯片的制备方法及光芯片，制备方法包括：选择半导体衬底，并通过水相法制备出石墨烯膜；将制备出的石墨烯薄膜与转移介质结合，以转移到半导体衬底上，并去除转移介质，得到石墨烯衬底层；在得到的石墨烯衬底层上进行微结构处理，并生长半导体层；利用化学腐蚀去除传统半导体衬底，得到制备好的光芯片。本发明能够解决传统的衬底生长光芯片技术的芯片散热能力和性能的不足问题。
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公开(公告)号：CN119270441A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411378710.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 无锡学院 , 无锡市德科立光电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体光放大器和石墨烯的散热阵列微结构及其制备方法，包括从上到下依次设置的半导体光放大器芯片、石墨烯散热基板和热沉，所述半导体光放大器芯片的下表面与石墨烯散热基板的上表面通过第一键合层进行键合，所述石墨烯散热基板的下表面通过第二键合层进行键合。本发明采用二维石墨烯材料，其热导率为2000‑5000 W/m•k，可以大大提高SOA散热能力；同时，对键合面采取了独特的微型阵列结构处理，可至少增大20%左右的接触面积，大大提高了热传递速率；本发明改善了SOA的散热能力，进一步提高了SOA的性能和可靠性，为5G时代的光纤通信发展增加技术保障。
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公开(公告)号：CN116867145A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310380844.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 无锡学院
IPC: H05B47/11 , H05B47/105
Abstract: 本发明提供了一种缓解情绪的室内光环境调控方法及系统，所述方法包括：获取预设目标应用场景，并利用光度传感器获取待调控空间的墙壁照度；根据所述墙壁照度和所述目标应用场景确定目标光环境参量；根据所述目标光环境参量对所述待调控空间的光环境进行调控。通过获取多个认为对光环境具有影响的因素，并根据这些因素对室内光环境进行调控，能够提高对整个光环境调控的智能化程度。
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