公开(公告)号：CN105810651A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610021994.4

申请日：2016-01-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大桥悠也 ,  山下顺 ,  藤井芳雄 ,  白仓康平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  G01R19/00

Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件具有在晶片焊盘上安装的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片用于降低输入电压，所述第二芯片用于执行信号处理。引线端子分成第一引线排和第二引线排。所述第一引线排与所述第一芯片连接，所述第一芯片与所述第二芯片或所述第二引线排连接，并且所述第二芯片与所述第二引线排连接。在所述第一引线排的所述引线端子之间的距离被设置比在所述第二引线排的所述引线端子之间的距离长，并且密封树脂被提供以至少在所述第一引线排的所述引线端子之间进行填充。

公开(公告)号：CN105810651B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610021994.4

申请日：2016-01-13

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 大桥悠也 ,  山下顺 ,  藤井芳雄 ,  白仓康平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  G01R19/00

Abstract: 一个实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件具有在晶片焊盘上安装的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片用于降低输入电压，所述第二芯片用于执行信号处理。引线端子分成第一引线排和第二引线排。所述第一引线排与所述第一芯片连接，所述第一芯片与所述第二芯片或所述第二引线排连接，并且所述第二芯片与所述第二引线排连接。在所述第一引线排的所述引线端子之间的距离被设置比在所述第二引线排的所述引线端子之间的距离长，并且密封树脂被提供以至少在所述第一引线排的所述引线端子之间进行填充。

公开(公告)号：CN103426918A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210558689.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 新日本无线株式会社

Inventor： 藤井芳雄

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02697 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以在半导体元件的电极表面使用铝材，而且不必浪费地形成很厚的所述铝层，铜线与线径无关地牢固地接合于半导体元件电极，实现高耐热化。在功率半导体元件10的基板上使用碳化硅(SiC)，在该碳化硅基板上形成钛层20和铝层21作为电极15，通过一边施加超声波振动一边将铜线16球焊或楔焊于上述电极15的铝层21，由此在铜线16和钛层20之间形成铜-铝化合物(Al4Cu9、AlCu等)层23。