公开(公告)号：CN109327011A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811311481.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·布格里纳 ,  A·弗洛朗斯

IPC: H02H3/20

Abstract: 一种过压保护设备，能够保护电源线，并且包括并联的穿通二极管、受控开关以及用于控制开关的电路。

公开(公告)号：CN105990825A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510846197.5

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·鲍格里内 ,  M·罗维瑞

IPC: H02H9/04

Abstract: 本申请涉及过电压保护装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。

公开(公告)号：CN104811198B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201510031842.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： L·穆安德龙 ,  S·沙莱 ,  J·厄尔捷

IPC: H03M1/10

Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。

公开(公告)号：CN104078925A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410127548.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·布格里纳 ,  A·弗洛朗斯

IPC: H02H3/20

CPC classification number: H02H9/043 ,  H02H3/20 ,  H02H7/26 ,  H02H9/04 ,  H02H9/041 ,  H02H9/042

Abstract: 一种过压保护设备，能够保护电源线，并且包括并联的穿通二极管、受控开关以及用于控制开关的电路。

公开(公告)号：CN109327011B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201811311481.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·布格里纳 ,  A·弗洛朗斯

IPC: H02H3/20

Abstract: 一种过压保护设备，能够保护电源线，并且包括并联的穿通二极管、受控开关以及用于控制开关的电路。

公开(公告)号：CN104078925B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201410127548.2

申请日：2014-03-28

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·布格里纳 ,  A·弗洛朗斯

IPC: H02H3/20

Abstract: 一种过压保护设备，能够保护电源线，并且包括并联的穿通二极管、受控开关以及用于控制开关的电路。

公开(公告)号：CN107066002B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201610848400.7

申请日：2016-09-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱 ,  J·厄尔捷 ,  L·热弗罗

IPC: G05F1/56

Abstract: 一种设备，包括：第一电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容；第二电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容，第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压；以及控制电路，能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。

公开(公告)号：CN107066002A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610848400.7

申请日：2016-09-23

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： S·沙莱 ,  J·厄尔捷 ,  L·热弗罗

IPC: G05F1/56

CPC classification number: H03B5/20 ,  H01G7/06 ,  H03B5/124 ,  H03B2201/011 ,  H03L7/1075 ,  G05F1/561

Abstract: 一种设备，包括：第一电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容；第二电容器，具有可通过施加偏置电压调节为设置点值的电容，第二电容器被配置为接收与第一电容器相同的偏置电压；以及控制电路，能够接收所述设置点值并在考虑表示第二电容器的电容的量的情况下生成所述偏置电压。

公开(公告)号：CN105990825B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201510846197.5

申请日：2015-11-26

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： J·厄尔捷 ,  G·鲍格里内 ,  M·罗维瑞

IPC: H02H9/04

Abstract: 本申请涉及过电压保护装置。该装置可以用于供电线路中的过电压保护。该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。

公开(公告)号：CN104811198A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510031842.8

申请日：2015-01-22

Applicant: 意法半导体(图尔)公司

Inventor： L·穆安德龙 ,  S·沙莱 ,  J·厄尔捷

IPC: H03M1/10

CPC classification number: H02J7/0072 ,  G01R27/2605 ,  H01Q5/335 ,  H02J7/0052 ,  H02J7/345 ,  H03J3/04

Abstract: 本公开涉及BST电容器控制电路的校准，并且具体涉及一种用于控制具有通过偏置可设定的电容的电容器的电路，包括：至少一个端子，用于接收取决于电容的期望值的数字设定点值；用于确定电容相对于标称值的漂移的电路；以及根据所确定的漂移向所述数字设定点值施加校正的电路。