一种硫化镉靶材制备方法及装置

    公开(公告)号:CN105693248B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201511002673.1

    申请日:2015-12-25

    Inventor: 胡智向 朱刘 刘留

    Abstract: 本发明提供一种硫化镉靶材制备方法,将硫化镉粉体装入模具中预压成型,得到预压后的硫化镉粉体;将所述预压后的硫化镉粉体装入热压烧结炉内,热压真空烧结,得到硫化镉靶材。本发明硫化镉靶材的制备,烧结与压制是在同一台设备,同一个工艺中同时进行的,中间环节和操作步骤少,对靶材和环境的污染小;使用高纯硫化镉粉体作为原料,不需要用到氯化镉做助溶剂,靶材纯度高。本发明还提供一种硫化镉靶材制备装置。

    碲化镉的制备方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106495108B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201610978797.1

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明提供一种碲化镉的制备方法,将碲化镉粉加入到碲粉和镉粉中均质混合后,进行加热合成。该方法减缓了碲化镉合成反应的剧烈程度,避免物料附着在反应容器内壁以及石英管上造成浪费,反应充分,提高了产品收率,易于将碲化镉产品与反应容器剥离。本发明中反应容器及石英管均可循环使用,反应无需高温高压,对设备要求低,工艺流程短,产品收率高,产量大,可实现批量生产。

    锗酸铋单晶体的生长方法

    公开(公告)号:CN106757353A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710082989.9

    申请日:2017-02-16

    CPC classification number: C30B29/32 C30B11/003

    Abstract: 本发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法,属于晶体生长领域。本发明采用可旋转多坩埚技术与垂直梯度凝固法相结合的方法生长锗酸铋单晶体。本发明提供的方法,改善了晶体生长界面温度场的径向对称性,提高锗酸铋单晶体的生长质量,同时有利于组分扩散,促进组分均匀分布,加快了锗酸铋单晶体的生长速度。本发明程序控制程度高,温度精确度高,波动小,重复性好,产量大,成本低。

    碲化镉的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106495108A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610978797.1

    申请日:2016-11-08

    CPC classification number: C01B19/007 C01P2004/60 C01P2006/80

    Abstract: 本发明提供一种碲化镉的制备方法,将碲化镉粉加入到碲粉和镉粉中均质混合后,进行加热合成。该方法减缓了碲化镉合成反应的剧烈程度,避免物料附着在反应容器内壁以及石英管上造成浪费,反应充分,提高了产品收率,易于将碲化镉产品与反应容器剥离。本发明中反应容器及石英管均可循环使用,反应无需高温高压,对设备要求低,工艺流程短,产品收率高,产量大,可实现批量生产。

    一种枸橼酸铋钾的制备方法

    公开(公告)号:CN106278870A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610632889.4

    申请日:2016-08-03

    CPC classification number: C07C51/412 C07C59/265

    Abstract: 本发明提供一种枸橼酸铋钾的制备方法,包括以下步骤:A)将氢氧化钾和柠檬酸在水中混合,进行反应,得到柠檬酸钾;B)将柠檬酸铋、氨水与所述柠檬酸钾混合,进行反应,得到枸橼酸铋钾。本发明中的制备方法采用柠檬酸铋以及柠檬酸、氢氧化钾一步合成枸橼酸铋钾,无需制备中间体次硝酸铋,工艺简单,不采用喷雾干燥,并且成本低。并且,本发明中制得的枸橼酸铋钾与中国药典》的产品标准一致,应用范围广,且产率为80~90%,纯度为99.95~99.99%。进一步的,本发明以乙醇作为结晶的溶剂,结晶时间短,极大的节约了后处理的时间,进一步节约了成本。

    铜镓合金的制备方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103421975A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201210154869.2

    申请日:2012-05-17

    Abstract: 本发明提供一种铜镓合金的制备方法,包括步骤:将单质铜和单质镓按重量比装入反应容器内,其中以装入到反应容器内的单质铜和单质镓的重量之和计,单质镓在35%以上;将反应容器抽真空;将抽真空后的反应容器密封;将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜镓二元合金固溶相温度以上,使得反应容器内的单质铜和单质镓进行合成反应,以获得熔融的铜镓合金液;合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷,以使反应容器内的熔融的铜镓合金液急冷成型为铜镓合金块;以及将反应容器破开,取出铜镓合金块。本发明不仅能获得高Ga含量的铜镓合金且在制备工艺以及所制备的铜镓合金性能方面均得以改善。

    高纯碲的制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103183322A

    公开(公告)日:2013-07-03

    申请号:CN201110449272.6

    申请日:2011-12-28

    Abstract: 本发明提供一种高纯碲的制备方法,包括:将碲原料放置于石英舟内;将装有碲原料的石英舟水平放入区熔料管内,并封闭区熔料管;通入还原气体;使区熔加热管移至石英舟内的碲原料头部;加热并熔化石英舟内的碲原料的头部,以形成熔区,达到规定熔区宽度时,使区熔加热管以规定速率运动,以完成一次区熔作业;当一次区熔作业完成后,区熔加热管返回至石英舟内的碲原料的头部并按重复区熔作业;完成重复次数的区熔作业后,停车并使区熔作业后的碲原料冷却;将头部和尾部各切除规定长度,以完成一次循环操作,切除后剩余的碲原料作为下一次循环操作处理的碲原料,重复前述所有步骤八预定循环次数。相比现有技术,本发明能获得高于现有技术纯度的碲。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

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