公开(公告)号：CN100543995C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610075163.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 相宗史记

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源/漏结构的半导体装置，其中升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且升高的源/漏结构的沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状。

公开(公告)号：CN1551308A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410047203.2

申请日：2004-05-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 泷本俊英 ,  藤原秀二 ,  后久保刚 ,  广田俊幸 ,  相宗史记

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: 依照本发明形成绝缘膜的方法，将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，条件为化合物与含氮气体的气流比低于1/30，从而生成氮化硅膜。在本发明中，在气流比低于1/30的条件下形成氮化硅膜，从而改进了具有氮化硅膜的绝缘膜的绝缘性能，进而降低了流经该绝缘膜的漏电流。

公开(公告)号：CN1855492A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610075163.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 相宗史记

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种具有在由半导体硅基板上的氧化膜和栅布线限定的各个预定位置中提供的升高的源/漏结构的半导体装置，其中升高的源/漏结构的上端部的形状沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像基本上与由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状一致，并且升高的源/漏结构的沿平行于半导体硅基板的平面剖开的横截面沿垂直于半导体硅基板的方向在半导体硅基板上的正投影图像的至少之一大于由半导体硅基板上的相应的氧化膜和栅布线限定的预定形状。

公开(公告)号：CN1700415A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073963.5

申请日：2005-05-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小松宪代 ,  相宗史记 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28525 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76888 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。