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公开(公告)号：CN100541855C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100492696C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
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公开(公告)号：CN1960020A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143924.2
申请日：2006-11-02
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失存储元件，包含：具有第一通孔11a的第一层间绝缘层11；形成在第一层间绝缘层11上、具有第二通孔12a的第二层间绝缘层12；设置在第一通孔11中的下电极13；包含相变材料、设置在第二通孔12中的记录层15；设置第二层间绝缘层12上的上电极16；和形成在下电极13和记录层15之间的薄膜绝缘层14。根据本发明，埋在第一通孔11a中的下电极13的直径D1比第二通孔12a的直径D2小，从而降低下电极13的热容。因此，当通过薄膜绝缘层14中的介质击穿形成小孔14a时，附近用作加热区，减少逃逸到下电极13的热量，导致更高的加热效率。
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公开(公告)号：CN1929161A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610151788.1
申请日：2006-09-07
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C2213/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。
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公开(公告)号：CN101005112A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168444.1
申请日：2006-12-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇 , 佐藤夏树 , 沃洛季米尔·丘巴蒂耶 , 杰弗里·P·富尼耶
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。
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公开(公告)号：CN101005112B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200610168444.1
申请日：2006-12-13
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 浅野勇 , 佐藤夏树 , 沃洛季米尔·丘巴蒂耶 , 杰弗里·P·富尼耶
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 非易失存储元件，包含：下电极12；上电极15；设置在下电极12和上电极15之间、包含相变材料的记录层13和可以阻挡记录层13相变的阻挡层14。构成阻挡层14的材料比构成记录层13的材料具有更高的电阻。阻挡层14抑制热向上电极15辐射，极大地限制了施加写电流时的相变区。结果得到高的加热效率。上电极15自身可以用来构成位线，或者可以设置独立的位线。
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