公开(公告)号：CN1689147A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03824483.7

申请日：2003-04-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉田义博

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种电介质膜的形成方法，其在由使用胺类有机金属原料的MOCVD法进行的high－K电介质膜的形成时，能够使在膜中残留的碳的量最小化。在露出被处理衬底表面的工艺空间中，供给包含所述胺类有机金属分子的原料气体，在所述被处理衬底表面上化学吸附所述胺类有机金属分子。之后，进行向所述被处理衬底表面供给氢气的工序、及在所述工艺空间中导入氧化气体的工序，由此，在所述被处理衬底表面上形成high－K电介质膜。

公开(公告)号：CN1689146A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03824140.4

申请日：2003-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 杉田义博

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 在Si衬底(11)的表面形成p阱(12)，形成元件分离绝缘膜(13)。接着，在整个面上形成薄的SiO2膜(14a)，在其上作为绝缘膜(14b)形成含有稀土类金属(例如La、Y)和Al的氧化膜。而且，在绝缘膜(14b)上形成多晶硅膜(15)。然后，通过进行例如1000℃左右的热处理，使SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)进行反应，形成含有稀土类金属和Al的硅酸盐膜。即，将SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)成为单一的硅酸盐膜。

公开(公告)号：CN1206736C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02121844.7

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 入野清 ,  森崎祐辅 ,  杉田义博 ,  谷田义明 ,  射场义久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中，抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散，或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时，形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖，在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。

公开(公告)号：CN1841772A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510096571.0

申请日：2005-08-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 迫田恒久 ,  山口正臣 ,  南方浩志 ,  杉田义博 ,  池田和人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜16的防透膜被插置于硅衬底10与高k栅极绝缘膜18之间，由此防止高k栅极绝缘膜18被脱氧，同时在已经形成栅电极层20之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜16变成氮氧化硅膜17而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜18的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。

公开(公告)号：CN1384549A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02121844.7

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 入野清 ,  森崎祐辅 ,  杉田义博 ,  谷田义明 ,  射场义久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中,抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散,或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时,形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖,在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。