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公开(公告)号:CN112768002B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN202010967742.7
申请日:2020-09-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 谷田义明
Abstract: 本发明涉及用于搜索肽分子的修饰位点的方法、设备以及记录介质。一种用于搜索肽分子的修饰位点的方法,包括:由计算机通过使用肽分子的第一空间结构的数据计算所述肽分子的第二空间结构,第一空间结构是肽分子在目标分子和肽分子的复合结构中的空间结构,第二空间结构是在肽分子的主链在第一空间结构中的空间构型为固定的状态下肽分子的稳定空间结构;以及将第二空间结构的数据与第一空间结构的数据进行比较,以搜索在这两个空间结构之间在空间构型上具有差异的侧链。
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公开(公告)号:CN115458041A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202210257723.4
申请日:2022-03-16
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G16B15/30
Abstract: 一种稳定结构搜索系统,包括:计算单元,其基于多种分子的每个相互作用势来获取多种分子中的每种分子与目标分子中包括的第一分子之间的多个结构相似度,获取多种分子中的每种分子与第一分子之间的多个电荷相似度,以及基于多个结构相似度中的每个结构相似度与多个电荷相似度中的每个电荷相似度的总和来获取多个总相似度;以及识别单元,其确定多种分子中总相似度最大的第二分子,基于第二分子的相互作用势来获取目标分子的分子结构的能量。
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公开(公告)号:CN113764053A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110281398.0
申请日:2021-03-16
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了结构搜索方法、结构搜索设备和计算机可读存储介质。搜索其中多个化合物残基键合在一起的化合物的稳定结构的结构搜索设备包括:存储器;以及耦接至存储器的处理器电路,该处理器电路被配置成执行处理,该处理包括:执行相互作用势识别处理,该相互作用势识别处理被配置成识别多个化合物残基之中的化合物残基x与化合物残基y之间的相互作用势;执行空间结构识别处理,该空间结构识别处理被配置成通过考虑由相互作用势识别处理识别的相互作用势在作为晶格点的集合的三维晶格空间中的晶格点处布置多个化合物残基,来识别在三维晶格空间中的化合物的空间结构;以及响应于所获得的识别结果,输出指示所识别的化合物的空间结构的识别结果。
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公开(公告)号:CN116798543A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310047146.0
申请日:2023-01-16
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本公开涉及存储搜索程序的计算机可读记录介质及搜索设备与方法。一种存储搜索程序的非暂态计算机可读记录介质,该搜索程序用于使计算机执行包括以下的处理:获得与粗粒化粒子之间的相互作用对应的第一势的第一成本值、与粒子之间的角度和二面角对应的第二势的第二成本值以及与粒子之间的斥力和引力对应的第三势的第三成本值;以及指示伊辛设备搜索粗粒化模型的结构,利用该结构针对包括多个粒子的粗粒化模型的整体计算的第一成本值、第二成本值和第三成本值的总和满足预定条件。
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公开(公告)号:CN1384549A
公开(公告)日:2002-12-11
申请号:CN02121844.7
申请日:2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中,抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散,或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时,形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖,在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。
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公开(公告)号:CN112768002A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202010967742.7
申请日:2020-09-15
Applicant: 富士通株式会社
Inventor: 谷田义明
Abstract: 本发明涉及用于搜索肽分子的修饰位点的方法、设备以及记录介质。一种用于搜索肽分子的修饰位点的方法,包括:由计算机通过使用肽分子的第一空间结构的数据计算所述肽分子的第二空间结构,第一空间结构是肽分子在目标分子和肽分子的复合结构中的空间结构,第二空间结构是在肽分子的主链在第一空间结构中的空间构型为固定的状态下肽分子的稳定空间结构;以及将第二空间结构的数据与第一空间结构的数据进行比较,以搜索在这两个空间结构之间在空间构型上具有差异的侧链。
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公开(公告)号:CN1206736C
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN02121844.7
申请日:2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中,抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散,或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时,形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖,在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。
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