公开(公告)号：CN100373460C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200510007023.6

申请日：2005-01-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  千叶洋 ,  笠松祥治 ,  武藏贵之 ,  押久保由纪子 ,  井谷司

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/72 ,  G11B5/40 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/82

Abstract: 本发明提供一种能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器、一种具有极好的磁头飞行稳定性的磁性记录装置、以及一种在短时间内制造能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器的制造方法。对于该磁性记录介质和磁头滑动器，保护层均由两层组成，即一下层和一在该下层上的上层；使该下层的电离电位小于该上层的电离电位；使该上层的表面自由能为45mN/m或更小；所述上层包含氢和氟中的至少一种元素；并且所述下层包含氮和氧中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1992197A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610105672.4

申请日：2006-07-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  佐佐木真 ,  泷川幸雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供的方法包括步骤：在层间绝缘膜(34)中形成互连沟槽(38)；在互连沟槽(38)形成以Cu作为主要材料的互连层(44)；以及在埋置于互连沟槽(38)中的互连层(44)的表面上，进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。

公开(公告)号：CN1744202A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510007023.6

申请日：2005-01-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  千叶洋 ,  笠松祥治 ,  武藏贵之 ,  押久保由纪子 ,  井谷司

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/72 ,  G11B5/40 ,  G11B5/60

CPC classification number: G11B5/725 ,  G11B5/82

Abstract: 本发明提供一种能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器、一种具有极好的磁头飞行稳定性的磁性记录装置、以及一种在短时间内制造能够供给极好的磁头飞行稳定性的磁性记录介质和磁头滑动器的制造方法。对于该磁性记录介质和磁头滑动器，保护层均由两层组成，即一下层和一在该下层上的上层；使该下层的电离电位小于该上层的电离电位；并且使该上层的表面自由能为45mN/m或更小。

公开(公告)号：CN101043020A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610106005.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  佐佐木真

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在层间绝缘膜34中形成互连沟槽38；在互连沟槽38中形成以Cu作为主要材料的互连层44；以及进行布摩擦处理，在互连沟槽38中埋置的互连层44表面上摩擦包含纯水的布2，其中该纯水中溶解有氨和氢。

公开(公告)号：CN1707625A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410092663.7

申请日：2004-11-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  井谷司 ,  押久保由纪子 ,  中山真一 ,  丰口卓

IPC: G11B5/725 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/72

Abstract: 本发明提供一种具有优良的耐久性和耐蚀性的磁记录介质、以及一种装备有该磁记录介质的磁记录设备。该磁记录介质的保护层由两层组成，即，与磁性层接触的一下层、以及在该下层上的一上层。使该下层的内应力比该上层的内应力小，并且使该下层的表面自由能比该上层的表面自由能小。

公开(公告)号：CN1251934A

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN99121536.2

申请日：1999-10-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  小岛由纪子

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  G11B5/09 ,  G11B5/23 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明涉及一种氧化铝膜,该氧化铝膜包含作为附加成分的MgO(氧化镁)、La2O3(氧化镧)和Y2O3(氧化钇)中的至少一种材料,以增加绝缘能力和防止透过膜的漏泄电压。由此在无需对已有技术工艺做大的改变的情况下,可以提供针孔较少同时具备高绝缘特性的含铝膜,该膜非常薄,如低至50nm以下。