公开(公告)号：CN1992197A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610105672.4

申请日：2006-07-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  佐佐木真 ,  泷川幸雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供的方法包括步骤：在层间绝缘膜(34)中形成互连沟槽(38)；在互连沟槽(38)形成以Cu作为主要材料的互连层(44)；以及在埋置于互连沟槽(38)中的互连层(44)的表面上，进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。

公开(公告)号：CN101127295A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710091528.4

申请日：2007-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  富士通株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  泷川幸雄 ,  中田义弘 ,  立石秀树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 一种基板处理方法，所述基板上带有绝缘膜和金属层，该方法包括向基板提供羧酸酐、和在向基板提供羧酸酐的过程中加热基板的步骤。