公开(公告)号：CN1992197A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610105672.4

申请日：2006-07-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  佐佐木真 ,  泷川幸雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76886

Abstract: 本发明提供的方法包括步骤：在层间绝缘膜(34)中形成互连沟槽(38)；在互连沟槽(38)形成以Cu作为主要材料的互连层(44)；以及在埋置于互连沟槽(38)中的互连层(44)的表面上，进行同时喷射溶解有氨和氢的纯水及氮气的氮二流体处理。

公开(公告)号：CN101043020A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610106005.8

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  佐佐木真

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在层间绝缘膜34中形成互连沟槽38；在互连沟槽38中形成以Cu作为主要材料的互连层44；以及进行布摩擦处理，在互连沟槽38中埋置的互连层44表面上摩擦包含纯水的布2，其中该纯水中溶解有氨和氢。