公开(公告)号：CN1251934A

公开(公告)日：2000-05-03

申请号：CN99121536.2

申请日：1999-10-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井谷司 ,  小岛由纪子

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  G11B5/09 ,  G11B5/23 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明涉及一种氧化铝膜,该氧化铝膜包含作为附加成分的MgO(氧化镁)、La2O3(氧化镧)和Y2O3(氧化钇)中的至少一种材料,以增加绝缘能力和防止透过膜的漏泄电压。由此在无需对已有技术工艺做大的改变的情况下,可以提供针孔较少同时具备高绝缘特性的含铝膜,该膜非常薄,如低至50nm以下。