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公开(公告)号：CN110164977A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810081369.8
申请日：2018-01-29
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种半导体保护膜，由以下重量份的原料组成：四氯化锡25～35份，无水乙醇30～40份，氧化镁27-38份，碳酸钡10-22份，氧化钴7-15份，石英4-9份，氧化铝粉22-35份，石灰9-15份，三氯化锑5～10份，石墨烯3～8份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份；本发明相比现有技术具有以下优点：本发明的材料中，稀土金属氧化物的含量相对较少，其对基体材料(化合物中占主要成分的材料)的迁移率等性能影响较小，不会造成器件基本性能的退化；具有非常优异的光照稳定性，而且具有制备工艺简单、适用性强的特点，其对不同体系基体材料的改善同样明显。
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公开(公告)号：CN110164752A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070650.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体构件的制造方法，其具有在硅系基板上形成由氮化物系半导体所构成的缓冲层的工序、及在前述缓冲层上形成有源层的工序，所述阶段是以前述缓冲层的硼浓度从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少的方式，将硼导入前述缓冲层，前述形成缓冲层的工序包含将硼导入前述缓冲层的阶段，利用闪光灯与光罩，照射半导体的前述缓冲层，使该缓冲层的硼变为一熔融状态，至结晶化缓冲层的硼熔融态；本发明相比现有技术具有以下优点：该半导体构件的制造方法，使得所述半导体基板在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。
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公开(公告)号：CN110162118A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070632.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: G05D27/02
Abstract: 本发明公开了一种植物成长环境试验方法及其系统,容器分割为多个环境室，每个环境上部栽培植物，下部设置营养土壤，每个环境室的营养土壤里所含营养元素量不同，向每个环境室的营养土壤灌输不同营养液，并于土壤内设置智能监测装置，采集土壤湿度、土壤pH值环境温度、环境湿度、浇水量、营养液量、营养液类型并转换为信号数据上传至监测系统的服务器，由服务器分析诊断植物最佳营养环境；本发明相比现有技术具有以下优点：为植物培育拟造多样化的生长环境，其生长环境的可控性和监控性，试验检测各类植物最佳适宜的生长周期内所需的营养类别及营养成分，保障植物大量种植生产高产量化，避免不必要的经济损失，同时也减轻人力繁琐方式的劳动。
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公开(公告)号：CN110156415A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070696.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
Abstract: 本发明提供的一种复合多孔砖，所述复合多孔砖为：以磷石膏、电石渣、粉末、粉煤灰、改良剂以及保温材料组成的混合物为原料，经过压制冲孔成型后，蒸压而成的砖体；本发明与现有技术相比，其有益处在于复合多孔砖的整体密度较小，空洞率较高，因此能够提高施工效率，降低建筑造价成本，同时该复合多孔砖通过添加保温材料，能够降低热导系数，进而达到较好的隔热效果。
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公开(公告)号：CN110156126A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810081371.5
申请日：2018-01-29
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: C02F1/62
Abstract: 本发明公开了一种净化重金属离子的方法，在沉淀池中通入重金属废水，向沉淀池中添加药剂进行化学反应；将残留的沉淀物混合于待处理的重金属废水，以待二次沉淀；将沉淀池进行反应后的重金属废水经PVDF帘式膜生物反应器过滤后的滤液经过磁力泵被抽走；本发明相比现有技术具有以下优点：通过将沉淀污泥一部分进行回用，以重复利用其中残留的辅助药剂，从而明显减少污泥的产生量，并且节省了药剂使用成本；解决了现有技术中的化学沉淀法沉淀速度慢、重金属不易回收的弊端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110152319A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070668.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
Abstract: 本发明公开了一种多功能辅助应用玩具，包括微处理器以及与之电性耦接的环境感测模块单元、语音输入模块、语音输出模块、存储模块与通讯模块，所述通讯模块外链接移动通讯设备，所述微处理器用于从所述存储模块获得待学习资源后，驱动所述语音输出模块播放，所述微处理器根据所接收到的环境感测信号或语音输入信号，向语音输出模块发送发音控制指令。本发明相比现有技术具有以下优点：生动形象地为孩子提供了示范，极大地提高了孩子学习的积极性和求知的欲望，丰富了孩子的学习领域，同时多个检测传感器集成在一起，便于集中管理，且检测功能多样，有效的避免的儿童玩耍过程在没有家长在身边时的室内安全。
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公开(公告)号：CN104465587A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410727136.2
申请日：2014-12-04
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
CPC classification number: H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/48655 , H01L2924/00011 , H01L2924/20751 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/01047 , H01L2924/00013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2224/45655 , H01L2224/45664 , H01L2924/00015 , H01L2224/45644 , H01L2924/01033 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01016 , H01L2924/01034 , H01L2924/01049 , H01L2924/01052 , H01L2924/01206
Abstract: 本发明涉及光能、微电子产业用材料技术领域，它公开了一种极微细镀镍铜合金丝及其制作方法，所述极微细镀镍铜合金丝包括极微细铜丝，所述极微细铜丝外设有一层镍膜层，所述极微细铜丝是以高纯铜为主体，添加改性元素熔炼而成。本发明可以防止先镀后拔时，由于内外成分硬度、塑性不同而致拉拔后膜层不均、线材不匀及表面皲裂现象，影响使用性能；同时既可有效防止铜丝氧化，又便于应用中的焊接，与现有镀钯铜丝、镀金铜丝相比，镀镍铜丝可以大大降低材料的成本。
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公开(公告)号：CN110164780A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070645.0
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种集成电路的引线连接方法，将引线框架拼版的所有单元窗口排列分布，引线框架拼版连接电镀阴极，在厚膜基板上采用共晶焊接金属焊片，将金属线与外引线柱以平行点焊焊接，以完成引线连接；本发明相比现有技术具有以下优点：将引线框架拼版的所有单元窗口排列分布采用交错电镀，实现正整版引线框架拼版的单元窗口更多，密集度更高，提高制造作业效率；同时实现了厚膜混合集成电路的粗丝外引线点焊互连，可以提高常规混合集成电路外引线互连可靠性，具有外引线互连工艺加工简洁易行、外引线结合强度高、适用广泛的显著效果。
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公开(公告)号：CN110164198A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070657.3
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
IPC: G09B5/06
Abstract: 本发明公开了一种智能可穿戴设备，包括载体和智能构件，所述智能构件设置于载体内，所述智能构件，包括姿态传感器模块、加速度传感器、红外自学习模块、光敏检测模块、温度检测模块、补光模块、语音输入单元、语音输出单元、存储器和词典模块均电信号连接于微处理器；本发明相比现有技术具有以下优点：通过手表的红外自学习功能实现通过手表对家用红外控制设备的控制功能；同时可以帮助人们学习的智能手表，通过增设词典和语音模块以方便人们合理的利用业余时间学习。
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公开(公告)号：CN110158067A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810070634.2
申请日：2018-01-25
Applicant: 安徽华晶微电子材料科技有限公司
Inventor： 程平
Abstract: 本发明公开了一种铜合金钝化方法，将铜合金工件放入含有除油液的清洗槽中，搅拌至铜合金工件表面油污除完为止，除油完毕后，将铜合金工件捞出，用清水将铜合金工件冲干净；将完成除油处理的铜合金工件浸入酸洗液酸洗，保持3-5分钟捞出，然后用清水冲洗；将酸洗完毕的铜合金工件放入配置好的钝化液中，常温浸泡10-18分钟捞出，用清水冲淋干净；本发明相比现有技术具有以下优点：该钝化液使用方便，钝化后不需要清洗，节约用水；适用范围广，不仅能够对铜合金进行钝化处理，而且对紫铜(纯铜)也有很好的钝化作用。
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