公开(公告)号：CN101855704B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880115930.4

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

公开(公告)号：CN101874289B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200880117656.4

申请日：2008-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  中川和男

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置的制造方法是制造包括具有薄膜晶体管的薄膜器件部和设置在薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部的半导体装置的方法，包括：准备基板的第一步骤、在基板上直接贴合周围器件部的第二步骤以及在已贴合了周围器件部的基板上形成薄膜器件部的第三步骤。

公开(公告)号：CN101874289A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117656.4

申请日：2008-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  中川和男

IPC: H01L21/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置的制造方法是制造包括具有薄膜晶体管的薄膜器件部和设置在薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部的半导体装置的方法，包括：准备基板的第一步骤、在基板上直接贴合周围器件部的第二步骤以及在已贴合了周围器件部的基板上形成薄膜器件部的第三步骤。

公开(公告)号：CN104335332B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201380028017.1

申请日：2013-04-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)包括基板(10)和设置在基板上的TFT，TFT包括：栅极电极(12)；与栅极电极相对的氧化物半导体层(14)；与氧化物半导体层连接的源极电极(16)和漏极电极(18)；和与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的绝缘层(22)，绝缘层(22)包括与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的下侧区域(22b)和位于下侧区域的上方的上侧区域(22a)，下侧区域(22b)的氢含有率大于上侧区域(22a)的氢含有率。

公开(公告)号：CN104335332A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380028017.1

申请日：2013-04-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)包括基板(10)和设置在基板上的TFT，TFT包括：栅极电极(12)；与栅极电极相对的氧化物半导体层(14)；与氧化物半导体层连接的源极电极(16)和漏极电极(18)；和与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的绝缘层(22)，绝缘层(22)包括与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的下侧区域(22b)和位于下侧区域的上方的上侧区域(22a)，下侧区域(22b)的氢含有率大于上侧区域(22a)的氢含有率。

公开(公告)号：CN101689479B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880021899.8

申请日：2008-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  斯蒂文·道罗斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

公开(公告)号：CN101884096A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

公开(公告)号：CN101884090A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118934.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川和男 ,  竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  松本晋 ,  多田宪史 ,  高藤裕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。

公开(公告)号：CN101351872B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680050353.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  竹井美智子 ,  富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。

公开(公告)号：CN110098209B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201910093472.9

申请日：2019-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  富安一秀 ,  中野文树 ,  中村友

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)在各像素(P1)中包括：光电转换元件(12)，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜(106)，其覆盖光电转换元件(12)，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜(107)，其覆盖第一平坦化膜(106)。第一平坦化膜(106)和第一无机绝缘膜(107)设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜(106)，第一平坦化膜(106)被第一无机绝缘膜(107)覆盖。