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公开(公告)号：CN101764058B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101764058A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102130011A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010613768.8
申请日：2010-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L29/6653 , H01L29/66848
Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。
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公开(公告)号：CN102130011B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201010613768.8
申请日：2010-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L29/6653 , H01L29/66848
Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。
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